IRL60B216,896-7358,Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL60B216, 305 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装 ,Infineon
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL60B216, 305 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号:
IRL60B216
库存编号:
896-7358
Infineon IRL60B216
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IRL60B216产品详细信息

StrongIRFET? Logic-Level 功率 MOSFET,Infineon

是 Infineon StrongIRFET 系列的扩展,针对 +5V 逻辑电平栅极驱动的优化。 它们共享与现有 StrongIRFET 系列相同的特性,如低 RDS(接通)用于提供更大效率,及高电路载流量用于提高耐用性和操作可靠性。

最佳 RDS(接通)@ VGS = +4.5V
适用于电池供电系统
应用范围:电机驱动器、同步整流器系统、OR-ing 和冗余电源开关、直流-直流转换器

IRL60B216产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 4.83 x 16.51mm  
  典型关断延迟时间  190 ns  
  典型接通延迟时间  70 ns  
  典型输入电容值@Vds  15570 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  172 nC  
  封装类型  TO-220  
  高度  16.51mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.83mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  StrongIRFET  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.2V  
  正向跨导  264S  
  最大功率耗散  375 W  
  最大连续漏极电流  305 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  2.2 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRL60B216产品技术参数资料

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