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安装类型	表面贴装
长度	6.6mm
尺寸	6.6 x 7.18 x 2.3mm
典型关断延迟时间	50 ns
典型接通延迟时间	40 ns
典型输入电容值@Vds	380 pF @ 300 V
典型栅极电荷@Vgs	10.5 nC @ 10 V
封装类型	DPAK
高度	2.3mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	7.18mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	TK
引脚数目	3
最大功率耗散	60 W
最大连续漏极电流	5.4 A
最大漏源电压	600 V
最大漏源电阻值	900 mΩ
最大栅阈值电压	3.7V
最大栅源电压	±30 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• TK5P60W, Silicon N-Channel DTMOS MOSFET