TK6A60W,S4VX(M,896-2426,Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK6A60W,S4VX(M, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装 ,Toshiba
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TK6A60W,S4VX(M
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK6A60W,S4VX(M, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
制造商零件编号:
TK6A60W,S4VX(M
制造商:
Toshiba
Toshiba
库存编号:
896-2426
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
TK6A60W,S4VX(M产品详细信息
MOSFET N 通道,TK6,TK7,TK8,TK9 系列,Toshiba
TK6A60W,S4VX(M产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10mm
尺寸
10 x 4.5 x 15mm
典型关断延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
40 ns
典型输入电容值@Vds
390 pF @ 300 V
典型栅极电荷@Vgs
12 nC @ 10 V
封装类型
TO-220SIS
高度
15mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.5mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
TK
引脚数目
3
最大功率耗散
30 W
最大连续漏极电流
6.2 A
最大漏源电压
600 V
最大漏源电阻值
750 mΩ
最大栅阈值电压
3.7V
最大栅源电压
±30 V
最高工作温度
+150 °C
关键词
TK6A60W,S4VX(M相关搜索
安装类型 通孔
Toshiba 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
Toshiba MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 10mm
Toshiba 长度 10mm
MOSFET 晶体管 长度 10mm
Toshiba MOSFET 晶体管 长度 10mm
尺寸 10 x 4.5 x 15mm
Toshiba 尺寸 10 x 4.5 x 15mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10 x 4.5 x 15mm
Toshiba MOSFET 晶体管 尺寸 10 x 4.5 x 15mm
典型关断延迟时间 55 ns
Toshiba 典型关断延迟时间 55 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 55 ns
Toshiba MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 40 ns
Toshiba 典型接通延迟时间 40 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 40 ns
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典型输入电容值@Vds 390 pF @ 300 V
Toshiba 典型输入电容值@Vds 390 pF @ 300 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 390 pF @ 300 V
Toshiba MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 390 pF @ 300 V
典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V
Toshiba 典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V
Toshiba MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V
封装类型 TO-220SIS
Toshiba 封装类型 TO-220SIS
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220SIS
Toshiba MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220SIS
高度 15mm
Toshiba 高度 15mm
MOSFET 晶体管 高度 15mm
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晶体管材料 Si
Toshiba 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Toshiba MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Toshiba 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Toshiba MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.5mm
Toshiba 宽度 4.5mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.5mm
Toshiba MOSFET 晶体管 宽度 4.5mm
类别 功率 MOSFET
Toshiba 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Toshiba MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Toshiba 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Toshiba MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Toshiba 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Toshiba MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Toshiba 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Toshiba MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 TK
Toshiba 系列 TK
MOSFET 晶体管 系列 TK
Toshiba MOSFET 晶体管 系列 TK
引脚数目 3
Toshiba 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Toshiba MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 30 W
Toshiba 最大功率耗散 30 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 30 W
Toshiba MOSFET 晶体管 最大功率耗散 30 W
最大连续漏极电流 6.2 A
Toshiba 最大连续漏极电流 6.2 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 6.2 A
Toshiba MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 6.2 A
最大漏源电压 600 V
Toshiba 最大漏源电压 600 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V
Toshiba MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V
最大漏源电阻值 750 mΩ
Toshiba 最大漏源电阻值 750 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 750 mΩ
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最大栅阈值电压 3.7V
Toshiba 最大栅阈值电压 3.7V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.7V
Toshiba MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.7V
最大栅源电压 ±30 V
Toshiba 最大栅源电压 ±30 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V
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最高工作温度 +150 °C
Toshiba 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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TK6A60W,S4VX(M产品技术参数资料
TK6A60W, Silicon N-Channel DTMOS MOSFET
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