TK6A60W,S4VX(M,896-2426,Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK6A60W,S4VX(M, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装 ,Toshiba
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK6A60W,S4VX(M, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装

制造商零件编号:
TK6A60W,S4VX(M
制造商:
Toshiba Toshiba
库存编号:
896-2426
Toshiba TK6A60W,S4VX(M
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

TK6A60W,S4VX(M产品详细信息

MOSFET N 通道,TK6,TK7,TK8,TK9 系列,Toshiba

TK6A60W,S4VX(M产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10mm  
  尺寸  10 x 4.5 x 15mm  
  典型关断延迟时间  55 ns  
  典型接通延迟时间  40 ns  
  典型输入电容值@Vds  390 pF @ 300 V  
  典型栅极电荷@Vgs  12 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220SIS  
  高度  15mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.5mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  TK  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  30 W  
  最大连续漏极电流  6.2 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  750 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.7V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最高工作温度  +150 °C  
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TK6A60W,S4VX(M产品技术参数资料

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