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安装类型	通孔
长度	10mm
尺寸	10 x 4.5 x 15mm
典型关断延迟时间	35 ns
典型接通延迟时间	28 ns
典型输入电容值@Vds	1700 pF @ 40 V
典型栅极电荷@Vgs	25 nC @ 10 V
封装类型	TO-220SIS
高度	15mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.5mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	TK
引脚数目	3
最大功率耗散	30 W
最大连续漏极电流	35 A
最大漏源电压	80 V
最大漏源电阻值	12.2 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±20 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• TK35A08N1, Silicon N-Channel U-MOS-H MOSFET