VP3203N3-G,893-8269,Microchip P沟道 MOSFET VP3203N3-G, 650 mA, Vds=30 V, 3引脚 TO-92封装 ,Microchip
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VP3203N3-G
Microchip P沟道 MOSFET VP3203N3-G, 650 mA, Vds=30 V, 3引脚 TO-92封装
制造商零件编号:
VP3203N3-G
制造商:
Microchip
Microchip
库存编号:
893-8269
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
VP3203N3-G产品详细信息
Supertex P 通道增强模式 MOSFET 晶体管
Microchip 的 Supertex 系列 P 通道增强模式(常闭)DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。
VP3203N3-G产品技术参数
安装类型
通孔
长度
5.21mm
尺寸
5.21 x 4.19 x 3.05mm
典型关断延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
10 ns
典型输入电容值@Vds
300 pF @ -25 V
封装类型
TO-92
高度
3.05mm
晶体管配置
单
宽度
4.19mm
每片芯片元件数目
1
通道类型
P
通道模式
增强
引脚数目
3
正向二极管电压
1.6V
正向跨导
2000S
最大功率耗散
740 mW
最大连续漏极电流
650 mA
最大漏源电压
30 V
最大漏源电阻值
1 Ω
最大栅阈值电压
3.5V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
VP3203N3-G相关搜索
安装类型 通孔
Microchip 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
Microchip MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 5.21mm
Microchip 长度 5.21mm
MOSFET 晶体管 长度 5.21mm
Microchip MOSFET 晶体管 长度 5.21mm
尺寸 5.21 x 4.19 x 3.05mm
Microchip 尺寸 5.21 x 4.19 x 3.05mm
MOSFET 晶体管 尺寸 5.21 x 4.19 x 3.05mm
Microchip MOSFET 晶体管 尺寸 5.21 x 4.19 x 3.05mm
典型关断延迟时间 25 ns
Microchip 典型关断延迟时间 25 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 25 ns
Microchip MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 10 ns
Microchip 典型接通延迟时间 10 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns
Microchip MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns
典型输入电容值@Vds 300 pF @ -25 V
Microchip 典型输入电容值@Vds 300 pF @ -25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 300 pF @ -25 V
Microchip MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 300 pF @ -25 V
封装类型 TO-92
Microchip 封装类型 TO-92
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-92
Microchip MOSFET 晶体管 封装类型 TO-92
高度 3.05mm
Microchip 高度 3.05mm
MOSFET 晶体管 高度 3.05mm
Microchip MOSFET 晶体管 高度 3.05mm
晶体管配置 单
Microchip 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Microchip MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.19mm
Microchip 宽度 4.19mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.19mm
Microchip MOSFET 晶体管 宽度 4.19mm
每片芯片元件数目 1
Microchip 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Microchip MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 P
Microchip 通道类型 P
MOSFET 晶体管 通道类型 P
Microchip MOSFET 晶体管 通道类型 P
通道模式 增强
Microchip 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Microchip MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
Microchip 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
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正向二极管电压 1.6V
Microchip 正向二极管电压 1.6V
MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.6V
Microchip MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.6V
正向跨导 2000S
Microchip 正向跨导 2000S
MOSFET 晶体管 正向跨导 2000S
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最大功率耗散 740 mW
Microchip 最大功率耗散 740 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 740 mW
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最大连续漏极电流 650 mA
Microchip 最大连续漏极电流 650 mA
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 650 mA
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最大漏源电压 30 V
Microchip 最大漏源电压 30 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
Microchip MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
最大漏源电阻值 1 Ω
Microchip 最大漏源电阻值 1 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1 Ω
Microchip MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1 Ω
最大栅阈值电压 3.5V
Microchip 最大栅阈值电压 3.5V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.5V
Microchip MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.5V
最大栅源电压 ±20 V
Microchip 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最低工作温度 -55 °C
Microchip 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Microchip MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
Microchip 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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邮箱:
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800152669
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VP3203N3-G产品技术参数资料
Datasheet
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