IPP180N10N3 G,892-2318,Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP180N10N3 G, 43 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装 ,Infineon
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP180N10N3 G, 43 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号:
IPP180N10N3 G
库存编号:
892-2318
Infineon IPP180N10N3 G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IPP180N10N3 G产品详细信息

Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET,100V 及以上

IPP180N10N3 G产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.36mm  
  尺寸  10.36 x 4.57 x 15.95mm  
  典型关断延迟时间  19 ns  
  典型接通延迟时间  12 ns  
  典型输入电容值@Vds  1350 pF @ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  19 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  15.95mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.57mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS 3  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.2V  
  正向跨导  40S  
  最大功率耗散  71 W  
  最大连续漏极电流  43 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  33 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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IPP180N10N3 G相关搜索

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IPP180N10N3 G产品技术参数资料

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