IPP60R600C6,892-2260,Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R600C6, 7.3 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装 ,Infineon
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IPP60R600C6
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R600C6, 7.3 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号:
IPP60R600C6
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
892-2260
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IPP60R600C6产品详细信息
Infineon CoolMOS?C6/C7 功率 MOSFET
IPP60R600C6产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.36mm
尺寸
10.36 x 4.57 x 15.95mm
典型关断延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
12 ns
典型输入电容值@Vds
440 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs
20.5 nC @ 10 V
封装类型
TO-220
高度
15.95mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.57mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
CoolMOS C6
引脚数目
3
正向二极管电压
0.9V
最大功率耗散
63 W
最大连续漏极电流
7.3 A
最大漏源电压
600 V
最大漏源电阻值
600 mΩ
最大栅阈值电压
3.5V
最大栅源电压
±30 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
2.5V
关键词
IPP60R600C6相关搜索
安装类型 通孔
Infineon 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 10.36mm
Infineon 长度 10.36mm
MOSFET 晶体管 长度 10.36mm
Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.36mm
尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm
Infineon 尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm
Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm
典型关断延迟时间 80 ns
Infineon 典型关断延迟时间 80 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 80 ns
Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 12 ns
Infineon 典型接通延迟时间 12 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12 ns
Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12 ns
典型输入电容值@Vds 440 pF @ 100 V
Infineon 典型输入电容值@Vds 440 pF @ 100 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 440 pF @ 100 V
Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 440 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs 20.5 nC @ 10 V
Infineon 典型栅极电荷@Vgs 20.5 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 20.5 nC @ 10 V
Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 20.5 nC @ 10 V
封装类型 TO-220
Infineon 封装类型 TO-220
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220
Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220
高度 15.95mm
Infineon 高度 15.95mm
MOSFET 晶体管 高度 15.95mm
Infineon MOSFET 晶体管 高度 15.95mm
晶体管材料 Si
Infineon 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.57mm
Infineon 宽度 4.57mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.57mm
Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4.57mm
类别 功率 MOSFET
Infineon 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Infineon 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Infineon 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Infineon 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 CoolMOS C6
Infineon 系列 CoolMOS C6
MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS C6
Infineon MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS C6
引脚数目 3
Infineon 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3
正向二极管电压 0.9V
Infineon 正向二极管电压 0.9V
MOSFET 晶体管 正向二极管电压 0.9V
Infineon MOSFET 晶体管 正向二极管电压 0.9V
最大功率耗散 63 W
Infineon 最大功率耗散 63 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 63 W
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最大连续漏极电流 7.3 A
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MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 7.3 A
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最大栅阈值电压 3.5V
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最大栅源电压 ±30 V
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MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V
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最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
Infineon 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小栅阈值电压 2.5V
Infineon 最小栅阈值电压 2.5V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.5V
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IPP60R600C6产品技术参数资料
IPx60R600C6, 600V CoolMOS C6 Power Transistor
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