IPP12CN10L G,892-2135,Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP12CN10L G, 69 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装 ,Infineon
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP12CN10L G, 69 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号:
IPP12CN10L G
库存编号:
892-2135
Infineon IPP12CN10L G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IPP12CN10L G产品详细信息

Infineon OptiMOS?2 功率 MOSFET 系列

Infineon OptiMOS?2 N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 OptiMOS 2 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。

IPP12CN10L G产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.36mm  
  尺寸  10.36 x 4.57 x 15.95mm  
  典型关断延迟时间  39 ns  
  典型接通延迟时间  14 ns  
  典型输入电容值@Vds  4210 pF @ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  58 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  15.95mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.57mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS 2  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.2V  
  正向跨导  113S  
  最大功率耗散  125 W  
  最大连续漏极电流  69 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  15.8 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1.2V  
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IPP12CN10L G产品技术参数资料

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