TK12J60W,S1VQ(O,891-2881,Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12J60W,S1VQ(O, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3P封装 ,Toshiba
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12J60W,S1VQ(O, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3P封装

制造商零件编号:
TK12J60W,S1VQ(O
制造商:
Toshiba Toshiba
库存编号:
891-2881
Toshiba TK12J60W,S1VQ(O
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

TK12J60W,S1VQ(O产品详细信息

TK12J60W,S1VQ(O产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.5mm  
  尺寸  15.5 x 4.5 x 20mm  
  典型关断延迟时间  85 ns  
  典型接通延迟时间  45 ns  
  典型输入电容值@Vds  890 pF @ 300 V  
  典型栅极电荷@Vgs  25 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-3P  
  高度  20mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.5mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  TK  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.7V  
  最大功率耗散  110 W  
  最大连续漏极电流  11.5 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  300 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.7V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

TK12J60W,S1VQ(O产品技术参数资料

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