AP2281-3FMG-7,885-5401,DiodesZetex P沟道 Si MOSFET AP2281-3FMG-7, 2 A, Vds=6 V, 6引脚 U-DFN2018封装 ,DiodesZetex
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET AP2281-3FMG-7, 2 A, Vds=6 V, 6引脚 U-DFN2018封装

制造商零件编号:
AP2281-3FMG-7
库存编号:
885-5401
DiodesZetex AP2281-3FMG-7
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

AP2281-3FMG-7产品详细信息

负载开关,Diodes Inc

AP2281-3FMG-7产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.1mm  
  尺寸  3.1 x 1.7 x 1.3mm  
  典型关断延迟时间  500 ns  
  典型接通延迟时间  1000 ns  
  封装类型  U-DFN2018  
  高度  1.3mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.7mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  正向二极管电压  6.5V  
  最大功率耗散  1.41 W  
  最大连续漏极电流  2 A  
  最大漏源电压  6 V  
  最大漏源电阻值  280 mΩ  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +125 °C  
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AP2281-3FMG-7产品技术参数资料

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