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安装类型	通孔
长度	15.9mm
尺寸	15.9 x 5.3 x 20.3mm
典型输入电容值@Vds	18500 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs	414 nC @ 10 V
封装类型	Max247
高度	20.3mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.3mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	MDmesh
引脚数目	3
正向二极管电压	1.5V
最大功率耗散	625 W
最大连续漏极电流	138 A
最大漏源电压	650 V
最大漏源电阻值	15 mΩ
最大栅阈值电压	5V
最大栅源电压	±25 V
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	3V
关键词

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