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安装类型	表面贴装
长度	10.67mm
尺寸	10.67 x 9.65 x 4.83mm
典型关断延迟时间	124 ns
典型接通延迟时间	20 ns
典型输入电容值@Vds	10150 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	180 nC @ 10 V
封装类型	D2PAK
高度	4.83mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	9.65mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	HEXFET
引脚数目	3
正向二极管电压	1.2V
正向跨导	250S
最大功率耗散	290 W
最大连续漏极电流	183 A
最大漏源电压	75 V
最大漏源电阻值	3.5 mΩ
最大栅阈值电压	3.7V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	2.1V
关键词

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.67mm  Infineon 长度 10.67mm  MOSFET 晶体管 长度 10.67mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  Infineon 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm   典型关断延迟时间 124 ns  Infineon 典型关断延迟时间 124 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 124 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 124 ns   典型接通延迟时间 20 ns  Infineon 典型接通延迟时间 20 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 20 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 20 ns   典型输入电容值@Vds 10150 pF @ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 10150 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 10150 pF @ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 10150 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V   封装类型 D2PAK  Infineon 封装类型 D2PAK  MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK   高度 4.83mm  Infineon 高度 4.83mm  MOSFET 晶体管 高度 4.83mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 4.83mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 9.65mm  Infineon 宽度 9.65mm  MOSFET 晶体管 宽度 9.65mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 9.65mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   正向二极管电压 1.2V  Infineon 正向二极管电压 1.2V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V  Infineon MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V   正向跨导 250S  Infineon 正向跨导 250S  MOSFET 晶体管 正向跨导 250S  Infineon MOSFET 晶体管 正向跨导 250S   最大功率耗散 290 W  Infineon 最大功率耗散 290 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 290 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 290 W   最大连续漏极电流 183 A  Infineon 最大连续漏极电流 183 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 183 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 183 A   最大漏源电压 75 V  Infineon 最大漏源电压 75 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 75 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 75 V   最大漏源电阻值 3.5 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 3.5 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3.5 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3.5 mΩ   最大栅阈值电压 3.7V  Infineon 最大栅阈值电压 3.7V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.7V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.7V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2.1V  Infineon 最小栅阈值电压 2.1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.1V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.1V