IRFS7734PBF,879-3362,Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7734PBF, 183 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7734PBF, 183 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号:
IRFS7734PBF
库存编号:
879-3362
Infineon IRFS7734PBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IRFS7734PBF产品详细信息

StrongIRFET? 功率 MOSFET,Infineon

Infineon 的 StrongIRFE 系列经过优化,RDS(接通)低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性,特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用,包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。

IRFS7734PBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 9.65 x 4.83mm  
  典型关断延迟时间  124 ns  
  典型接通延迟时间  20 ns  
  典型输入电容值@Vds  10150 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  180 nC @ 10 V  
  封装类型  D2PAK  
  高度  4.83mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.65mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.2V  
  正向跨导  250S  
  最大功率耗散  290 W  
  最大连续漏极电流  183 A  
  最大漏源电压  75 V  
  最大漏源电阻值  3.5 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.7V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2.1V  
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