VN2222LL-G,879-3274,Microchip N沟道 Si MOSFET VN2222LL-G, 230 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装 ,Microchip
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VN2222LL-G
Microchip N沟道 Si MOSFET VN2222LL-G, 230 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
制造商零件编号:
VN2222LL-G
制造商:
Microchip
Microchip
库存编号:
879-3274
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
VN2222LL-G产品详细信息
Supertex N 通道增强型模式 MOSFET 晶体管
Microchip Supertex 系列 N 通道增强型模式(常闭)DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗,低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。
VN2222LL-G产品技术参数
安装类型
通孔
长度
5.08mm
尺寸
5.08 x 4.06 x 5.33mm
典型关断延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
典型输入电容值@Vds
60 pF @ 25 V
封装类型
TO-92
高度
5.33mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.06mm
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3
正向二极管电压
0.85V
正向跨导
100S
最大功率耗散
1 W
最大连续漏极电流
230 mA
最大漏源电压
60 V
最大漏源电阻值
7.5 Ω
最大栅阈值电压
2.5V
最大栅源电压
±30 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
VN2222LL-G相关搜索
安装类型 通孔
Microchip 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
Microchip MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 5.08mm
Microchip 长度 5.08mm
MOSFET 晶体管 长度 5.08mm
Microchip MOSFET 晶体管 长度 5.08mm
尺寸 5.08 x 4.06 x 5.33mm
Microchip 尺寸 5.08 x 4.06 x 5.33mm
MOSFET 晶体管 尺寸 5.08 x 4.06 x 5.33mm
Microchip MOSFET 晶体管 尺寸 5.08 x 4.06 x 5.33mm
典型关断延迟时间 10 ns
Microchip 典型关断延迟时间 10 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 10 ns
Microchip MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 10 ns
Microchip 典型接通延迟时间 10 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns
Microchip MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns
典型输入电容值@Vds 60 pF @ 25 V
Microchip 典型输入电容值@Vds 60 pF @ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 60 pF @ 25 V
Microchip MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 60 pF @ 25 V
封装类型 TO-92
Microchip 封装类型 TO-92
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-92
Microchip MOSFET 晶体管 封装类型 TO-92
高度 5.33mm
Microchip 高度 5.33mm
MOSFET 晶体管 高度 5.33mm
Microchip MOSFET 晶体管 高度 5.33mm
晶体管材料 Si
Microchip 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Microchip MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Microchip 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
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宽度 4.06mm
Microchip 宽度 4.06mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.06mm
Microchip MOSFET 晶体管 宽度 4.06mm
每片芯片元件数目 1
Microchip 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Microchip MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Microchip 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Microchip MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Microchip 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Microchip MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
Microchip 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Microchip MOSFET 晶体管 引脚数目 3
正向二极管电压 0.85V
Microchip 正向二极管电压 0.85V
MOSFET 晶体管 正向二极管电压 0.85V
Microchip MOSFET 晶体管 正向二极管电压 0.85V
正向跨导 100S
Microchip 正向跨导 100S
MOSFET 晶体管 正向跨导 100S
Microchip MOSFET 晶体管 正向跨导 100S
最大功率耗散 1 W
Microchip 最大功率耗散 1 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1 W
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最大连续漏极电流 230 mA
Microchip 最大连续漏极电流 230 mA
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 230 mA
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最大漏源电压 60 V
Microchip 最大漏源电压 60 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
Microchip MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
最大漏源电阻值 7.5 Ω
Microchip 最大漏源电阻值 7.5 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 7.5 Ω
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最大栅阈值电压 2.5V
Microchip 最大栅阈值电压 2.5V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V
Microchip MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V
最大栅源电压 ±30 V
Microchip 最大栅源电压 ±30 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V
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最低工作温度 -55 °C
Microchip 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
Microchip 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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VN2222LL-G产品技术参数资料
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新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
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