TP2104N3-G,879-3270,Microchip Si P沟道 MOSFET TP2104N3-G, 175 mA, Vds=40 V, 3引脚 TO-92封装 ,Microchip
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Microchip Si P沟道 MOSFET TP2104N3-G, 175 mA, Vds=40 V, 3引脚 TO-92封装

制造商零件编号:
TP2104N3-G
库存编号:
879-3270
Microchip TP2104N3-G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

TP2104N3-G产品详细信息

Supertex P 通道增强模式 MOSFET 晶体管

Microchip 的 Supertex 系列 P 通道增强模式(常闭)DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。

TP2104N3-G产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  5.08mm  
  尺寸  5.08 x 4.06 x 5.33mm  
  典型关断延迟时间  5 ns  
  典型接通延迟时间  4 ns  
  典型输入电容值@Vds  35 pF @ -25 V  
  封装类型  TO-92  
  高度  5.33mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.06mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  2V  
  正向跨导  200S  
  最大功率耗散  740 mW  
  最大连续漏极电流  175 mA  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  Ω10  
  最大栅阈值电压  2V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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TP2104N3-G产品技术参数资料

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