TP2104N3-G,879-3270,Microchip Si P沟道 MOSFET TP2104N3-G, 175 mA, Vds=40 V, 3引脚 TO-92封装 ,Microchip
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
>
TP2104N3-G
Microchip Si P沟道 MOSFET TP2104N3-G, 175 mA, Vds=40 V, 3引脚 TO-92封装
制造商零件编号:
TP2104N3-G
制造商:
Microchip
Microchip
库存编号:
879-3270
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
TP2104N3-G产品详细信息
Supertex P 通道增强模式 MOSFET 晶体管
Microchip 的 Supertex 系列 P 通道增强模式(常闭)DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。
TP2104N3-G产品技术参数
安装类型
通孔
长度
5.08mm
尺寸
5.08 x 4.06 x 5.33mm
典型关断延迟时间
5 ns
典型接通延迟时间
4 ns
典型输入电容值@Vds
35 pF @ -25 V
封装类型
TO-92
高度
5.33mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.06mm
每片芯片元件数目
1
通道类型
P
通道模式
增强
引脚数目
3
正向二极管电压
2V
正向跨导
200S
最大功率耗散
740 mW
最大连续漏极电流
175 mA
最大漏源电压
40 V
最大漏源电阻值
Ω10
最大栅阈值电压
2V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
TP2104N3-G相关搜索
安装类型 通孔
Microchip 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
Microchip MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 5.08mm
Microchip 长度 5.08mm
MOSFET 晶体管 长度 5.08mm
Microchip MOSFET 晶体管 长度 5.08mm
尺寸 5.08 x 4.06 x 5.33mm
Microchip 尺寸 5.08 x 4.06 x 5.33mm
MOSFET 晶体管 尺寸 5.08 x 4.06 x 5.33mm
Microchip MOSFET 晶体管 尺寸 5.08 x 4.06 x 5.33mm
典型关断延迟时间 5 ns
Microchip 典型关断延迟时间 5 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 5 ns
Microchip MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 5 ns
典型接通延迟时间 4 ns
Microchip 典型接通延迟时间 4 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4 ns
Microchip MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4 ns
典型输入电容值@Vds 35 pF @ -25 V
Microchip 典型输入电容值@Vds 35 pF @ -25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 35 pF @ -25 V
Microchip MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 35 pF @ -25 V
封装类型 TO-92
Microchip 封装类型 TO-92
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-92
Microchip MOSFET 晶体管 封装类型 TO-92
高度 5.33mm
Microchip 高度 5.33mm
MOSFET 晶体管 高度 5.33mm
Microchip MOSFET 晶体管 高度 5.33mm
晶体管材料 Si
Microchip 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Microchip MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Microchip 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Microchip MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.06mm
Microchip 宽度 4.06mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.06mm
Microchip MOSFET 晶体管 宽度 4.06mm
每片芯片元件数目 1
Microchip 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Microchip MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 P
Microchip 通道类型 P
MOSFET 晶体管 通道类型 P
Microchip MOSFET 晶体管 通道类型 P
通道模式 增强
Microchip 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Microchip MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
Microchip 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Microchip MOSFET 晶体管 引脚数目 3
正向二极管电压 2V
Microchip 正向二极管电压 2V
MOSFET 晶体管 正向二极管电压 2V
Microchip MOSFET 晶体管 正向二极管电压 2V
正向跨导 200S
Microchip 正向跨导 200S
MOSFET 晶体管 正向跨导 200S
Microchip MOSFET 晶体管 正向跨导 200S
最大功率耗散 740 mW
Microchip 最大功率耗散 740 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 740 mW
Microchip MOSFET 晶体管 最大功率耗散 740 mW
最大连续漏极电流 175 mA
Microchip 最大连续漏极电流 175 mA
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 175 mA
Microchip MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 175 mA
最大漏源电压 40 V
Microchip 最大漏源电压 40 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V
Microchip MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V
最大漏源电阻值 Ω10
Microchip 最大漏源电阻值 Ω10
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 Ω10
Microchip MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 Ω10
最大栅阈值电压 2V
Microchip 最大栅阈值电压 2V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V
Microchip MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V
最大栅源电压 ±20 V
Microchip 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
Microchip MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -55 °C
Microchip 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Microchip MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
Microchip 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
Microchip MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
TP2104N3-G产品技术参数资料
Datasheet
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号