关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	面板安装
长度	20.57mm
尺寸	20.57 x 6.1 x 4.45mm
典型功率增益	15 dB
典型输入电容值@Vds	80 pF @ 28 V
封装类型	M243
高度	4.45mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	6.1mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	93 W
最大连续漏极电流	5 A
最大漏源电压	65 V
最大栅阈值电压	5V
最大栅源电压	±20 V
最高工作温度	+200 °C
最小栅阈值电压	2.5V
关键词

安装类型 面板安装  STMicroelectronics 安装类型 面板安装  MOSFET 晶体管 安装类型 面板安装  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 面板安装   长度 20.57mm  STMicroelectronics 长度 20.57mm  MOSFET 晶体管 长度 20.57mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 20.57mm   尺寸 20.57 x 6.1 x 4.45mm  STMicroelectronics 尺寸 20.57 x 6.1 x 4.45mm  MOSFET 晶体管 尺寸 20.57 x 6.1 x 4.45mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 20.57 x 6.1 x 4.45mm   典型功率增益 15 dB  STMicroelectronics 典型功率增益 15 dB  MOSFET 晶体管 典型功率增益 15 dB  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型功率增益 15 dB   典型输入电容值@Vds 80 pF @ 28 V  STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 80 pF @ 28 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 80 pF @ 28 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 80 pF @ 28 V   封装类型 M243  STMicroelectronics 封装类型 M243  MOSFET 晶体管 封装类型 M243  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 M243   高度 4.45mm  STMicroelectronics 高度 4.45mm  MOSFET 晶体管 高度 4.45mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 4.45mm   晶体管材料 Si  STMicroelectronics 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.1mm  STMicroelectronics 宽度 6.1mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.1mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 6.1mm   类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  STMicroelectronics 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  STMicroelectronics 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 93 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 93 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 93 W  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 93 W   最大连续漏极电流 5 A  STMicroelectronics 最大连续漏极电流 5 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5 A  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5 A   最大漏源电压 65 V  STMicroelectronics 最大漏源电压 65 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 65 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 65 V   最大栅阈值电压 5V  STMicroelectronics 最大栅阈值电压 5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V   最大栅源电压 ±20 V  STMicroelectronics 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最高工作温度 +200 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +200 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +200 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最高工作温度 +200 °C   最小栅阈值电压 2.5V  STMicroelectronics 最小栅阈值电压 2.5V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.5V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.5V  

• SD57045, RF Power Transistors, the LdmoST Family