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安装类型	表面贴装
长度	9.5mm
尺寸	9.5 x 9.4 x 3.5mm
典型功率增益	17 dB
典型输入电容值@Vds	58 pF @ 12.5 V
封装类型	PowerSO
高度	3.5mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	9.4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	52.8 W
最大连续漏极电流	4 A
最大漏源电压	40 V
最大栅阈值电压	5V
最大栅源电压	±20 V
最高工作温度	+165 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

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• PD55008-E, PD55008S-E, RF Power Transistor, LdmoST Plastic Family N-Channel Enhancement-Mode, Lateral MOSFETs