STS10P4LLF6,876-5711,STMicroelectronics STripFET 系列 Si P沟道 MOSFET STS10P4LLF6, 10 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装 ,STMicroelectronics
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STS10P4LLF6
STMicroelectronics STripFET 系列 Si P沟道 MOSFET STS10P4LLF6, 10 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
制造商零件编号:
STS10P4LLF6
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
876-5711
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STS10P4LLF6产品详细信息
P 沟道 STripFET? 功率 MOSFET,STMicroelectronics
STripFET? MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
STS10P4LLF6产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
5mm
尺寸
5 x 4 x 1.5mm
典型关断延迟时间
170 ns
典型接通延迟时间
49.4 ns
典型输入电容值@Vds
3525 pF @ -25 V
典型栅极电荷@Vgs
34 nC @ 4.5 V
封装类型
SOIC
高度
1.5mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
P
通道模式
增强
系列
STripFET
引脚数目
8
正向二极管电压
1.1V
最大功率耗散
2.7 W
最大连续漏极电流
10 A
最大漏源电压
40 V
最大漏源电阻值
20 mΩ
最大栅源电压
±20 V
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
1V
关键词
STS10P4LLF6配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
EPCOS 20A 表面贴装 电流互感器 CT B82801B0205A100, 1:100匝数比
制造商零件编号:
B82801B0205A100
品牌:
EPCOS
库存编号:
871-1613
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MOSFET 晶体管 长度 5mm
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尺寸 5 x 4 x 1.5mm
STMicroelectronics 尺寸 5 x 4 x 1.5mm
MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.5mm
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典型关断延迟时间 170 ns
STMicroelectronics 典型关断延迟时间 170 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 170 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 170 ns
典型接通延迟时间 49.4 ns
STMicroelectronics 典型接通延迟时间 49.4 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 49.4 ns
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典型输入电容值@Vds 3525 pF @ -25 V
STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 3525 pF @ -25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3525 pF @ -25 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3525 pF @ -25 V
典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 4.5 V
STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 4.5 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 4.5 V
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封装类型 SOIC
STMicroelectronics 封装类型 SOIC
MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC
高度 1.5mm
STMicroelectronics 高度 1.5mm
MOSFET 晶体管 高度 1.5mm
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晶体管材料 Si
STMicroelectronics 晶体管材料 Si
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STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
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类别 功率 MOSFET
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系列 STripFET
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最小栅阈值电压 1V
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MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V
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STS10P4LLF6产品技术参数资料
STS10P4LLF6 P-channel 40 V 10 A, StripFET Power MOSFET
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