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安装类型	表面贴装
长度	6.35mm
尺寸	6.35 x 5.4 x 0.95mm
典型关断延迟时间	170 ns
典型接通延迟时间	49.4 ns
典型输入电容值@Vds	3525 pF @ -25 V
典型栅极电荷@Vgs	34 nC @ 4.5 V
封装类型	PowerFLAT
高度	0.95mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
系列	STripFET
引脚数目	8
正向二极管电压	1.1V
最大功率耗散	100 W
最大连续漏极电流	60 A
最大漏源电压	40 V
最大漏源电阻值	19 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

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• STL60P4LLF6 P-channel 40 V 60 A STripFET Power MOSFET