STL42P4LLF6,876-5682,STMicroelectronics STripFET 系列 Si P沟道 MOSFET STL42P4LLF6, 42 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerFLAT封装 ,STMicroelectronics
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STL42P4LLF6
STMicroelectronics STripFET 系列 Si P沟道 MOSFET STL42P4LLF6, 42 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerFLAT封装
制造商零件编号:
STL42P4LLF6
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
876-5682
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STL42P4LLF6产品详细信息
P 沟道 STripFET? 功率 MOSFET,STMicroelectronics
STripFET? MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
STL42P4LLF6产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.35mm
尺寸
6.35 x 5.4 x 0.95mm
典型关断延迟时间
148 ns
典型接通延迟时间
43 ns
典型输入电容值@Vds
2850 pF @ -25 V
典型栅极电荷@Vgs
22 nC @ 4.5 V
封装类型
PowerFLAT
高度
0.95mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
5.4mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
P
通道模式
增强
系列
STripFET
引脚数目
8
正向二极管电压
1.1V
最大功率耗散
75 W
最大连续漏极电流
42 A
最大漏源电压
40 V
最大漏源电阻值
26 mΩ
最大栅阈值电压
2.5V
最大栅源电压
±20 V
最高工作温度
+175 °C
最小栅阈值电压
1V
关键词
STL42P4LLF6相关搜索
安装类型 表面贴装
STMicroelectronics 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 6.35mm
STMicroelectronics 长度 6.35mm
MOSFET 晶体管 长度 6.35mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 6.35mm
尺寸 6.35 x 5.4 x 0.95mm
STMicroelectronics 尺寸 6.35 x 5.4 x 0.95mm
MOSFET 晶体管 尺寸 6.35 x 5.4 x 0.95mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 6.35 x 5.4 x 0.95mm
典型关断延迟时间 148 ns
STMicroelectronics 典型关断延迟时间 148 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 148 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 148 ns
典型接通延迟时间 43 ns
STMicroelectronics 典型接通延迟时间 43 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 43 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 43 ns
典型输入电容值@Vds 2850 pF @ -25 V
STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 2850 pF @ -25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2850 pF @ -25 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2850 pF @ -25 V
典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 4.5 V
STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 4.5 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 4.5 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 4.5 V
封装类型 PowerFLAT
STMicroelectronics 封装类型 PowerFLAT
MOSFET 晶体管 封装类型 PowerFLAT
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 PowerFLAT
高度 0.95mm
STMicroelectronics 高度 0.95mm
MOSFET 晶体管 高度 0.95mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 0.95mm
晶体管材料 Si
STMicroelectronics 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
STMicroelectronics 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
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宽度 5.4mm
STMicroelectronics 宽度 5.4mm
MOSFET 晶体管 宽度 5.4mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 5.4mm
类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 P
STMicroelectronics 通道类型 P
MOSFET 晶体管 通道类型 P
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通道模式 增强
STMicroelectronics 通道模式 增强
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系列 STripFET
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引脚数目 8
STMicroelectronics 引脚数目 8
MOSFET 晶体管 引脚数目 8
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正向二极管电压 1.1V
STMicroelectronics 正向二极管电压 1.1V
MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.1V
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最大功率耗散 75 W
STMicroelectronics 最大功率耗散 75 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 75 W
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最大连续漏极电流 42 A
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最大漏源电压 40 V
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最大漏源电阻值 26 mΩ
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MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V
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最大栅源电压 ±20 V
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MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最高工作温度 +175 °C
STMicroelectronics 最高工作温度 +175 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
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最小栅阈值电压 1V
STMicroelectronics 最小栅阈值电压 1V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V
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STL42P4LLF6产品技术参数资料
STL42P4LLF6 P-channel 40 V 42 A STripFET Power MOSFET
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