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安装类型	表面贴装
长度	6.35mm
尺寸	6.35 x 5.4 x 0.95mm
典型关断延迟时间	38 ns
典型接通延迟时间	11 ns
典型输入电容值@Vds	590 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs	17 nC @ 10 V
封装类型	PowerFLAT
高度	0.95mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	MDmesh M2
引脚数目	8
正向二极管电压	1.6V
最大功率耗散	52 W
最大连续漏极电流	6.5 A
最大漏源电压	650 V
最大漏源电阻值	475 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±25 V
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

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• STL13N65M2 N-channel 650 V 6.5 A MDmesh Power MOSFET