STD12N65M2,876-5629,STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STD12N65M2, 8 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装 ,STMicroelectronics
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STD12N65M2
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STD12N65M2, 8 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装
制造商零件编号:
STD12N65M2
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
876-5629
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STD12N65M2产品详细信息
N 通道 MDmesh? M2 系列,STMicroelectronics
STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。
STD12N65M2产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.6mm
尺寸
6.6 x 6.2 x 2.4mm
典型关断延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
9 ns
典型输入电容值@Vds
535 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs
16.5 nC @ 10 V
封装类型
DPAK
高度
2.4mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
6.2mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
MDmesh M2
引脚数目
3
正向二极管电压
1.6V
最大功率耗散
85 W
最大连续漏极电流
8 A
最大漏源电压
650 V
最大漏源电阻值
500 mΩ
最大栅阈值电压
4V
最大栅源电压
±25 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
2V
关键词
STD12N65M2配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
EPCOS 20A 表面贴装 电流互感器 CT B82801B0205A100, 1:100匝数比
制造商零件编号:
B82801B0205A100
品牌:
EPCOS
库存编号:
871-1613
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尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm
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MOSFET 晶体管 尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm
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典型关断延迟时间 34 ns
STMicroelectronics 典型关断延迟时间 34 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 34 ns
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典型接通延迟时间 9 ns
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典型输入电容值@Vds 535 pF @ 100 V
STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 535 pF @ 100 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 535 pF @ 100 V
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典型栅极电荷@Vgs 16.5 nC @ 10 V
STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 16.5 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 16.5 nC @ 10 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 16.5 nC @ 10 V
封装类型 DPAK
STMicroelectronics 封装类型 DPAK
MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK
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高度 2.4mm
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晶体管材料 Si
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STD12N65M2产品技术参数资料
STD12N65M2 N-channel 650 V 8 A MDmesh Power MOSFET
美国1号品牌选型
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