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安装类型	表面贴装
长度	25mm
尺寸	25 x 23 x 5.5mm
典型关断延迟时间	750 ns
典型接通延迟时间	80 ns
典型输入电容值@Vds	6800 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs	150 nC @ 10 V
封装类型	SMPD
高度	5.5mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	23mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	CoolMOS
引脚数目	9
正向二极管电压	1V
最大连续漏极电流	50 A
最大漏源电压	600 V
最大漏源电阻值	45 mΩ
最大栅阈值电压	3.5V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• MKE38RK600DFELB, CoolMOS Power MOSFET N-Channel 600V 50A ISOPLUS-SMPD