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安装类型	表面贴装
长度	25.25mm
尺寸	25.25 x 23.25 x 5.7mm
典型关断延迟时间	115 ns
典型接通延迟时间	50 ns
典型输入电容值@Vds	47500 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	715 nC @ 10 V
封装类型	SMPD
高度	5.7mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	23.25mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	GigaMOS, HiperFET
引脚数目	24
正向二极管电压	1.2V
正向跨导	230S
最大功率耗散	680 W
最大连续漏极电流	235 A
最大漏源电压	150 V
最大漏源电阻值	4.4 mΩ
最大栅阈值电压	5V
最大栅源电压	±30 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
关键词

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• MMIX1F360N15T2, TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET N-Channel 150V 235A SMPD