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安装类型	表面贴装
长度	5.99mm
尺寸	5.99 x 5 x 1.07mm
典型关断延迟时间	105 ns
典型接通延迟时间	45 ns
典型输入电容值@Vds	4700 pF @ -40 V
典型栅极电荷@Vgs	105 nC @ 10 V
封装类型	PowerPAK SO
高度	1.07mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
系列	TrenchFET
引脚数目	8
正向二极管电压	1.2V
正向跨导	52S
最大功率耗散	83 W
最大连续漏极电流	28 A
最大漏源电压	80 V
最大漏源电阻值	29 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5.99mm  Vishay Siliconix 长度 5.99mm  MOSFET 晶体管 长度 5.99mm  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 长度 5.99mm   尺寸 5.99 x 5 x 1.07mm  Vishay Siliconix 尺寸 5.99 x 5 x 1.07mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5.99 x 5 x 1.07mm  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 尺寸 5.99 x 5 x 1.07mm   典型关断延迟时间 105 ns  Vishay Siliconix 典型关断延迟时间 105 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 105 ns  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 105 ns   典型接通延迟时间 45 ns  Vishay Siliconix 典型接通延迟时间 45 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 45 ns  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 45 ns   典型输入电容值@Vds 4700 pF @ -40 V  Vishay Siliconix 典型输入电容值@Vds 4700 pF @ -40 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4700 pF @ -40 V  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4700 pF @ -40 V   典型栅极电荷@Vgs 105 nC @ 10 V  Vishay Siliconix 典型栅极电荷@Vgs 105 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 105 nC @ 10 V  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 105 nC @ 10 V   封装类型 PowerPAK SO  Vishay Siliconix 封装类型 PowerPAK SO  MOSFET 晶体管 封装类型 PowerPAK SO  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 封装类型 PowerPAK SO   高度 1.07mm  Vishay Siliconix 高度 1.07mm  MOSFET 晶体管 高度 1.07mm  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 高度 1.07mm   晶体管材料 Si  Vishay Siliconix 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay Siliconix 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5mm  Vishay Siliconix 宽度 5mm  MOSFET 晶体管 宽度 5mm  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 宽度 5mm   类别 功率 MOSFET  Vishay Siliconix 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay Siliconix 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Vishay Siliconix 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Vishay Siliconix 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 TrenchFET  Vishay Siliconix 系列 TrenchFET  MOSFET 晶体管 系列 TrenchFET  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 系列 TrenchFET   引脚数目 8  Vishay Siliconix 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 引脚数目 8   正向二极管电压 1.2V  Vishay Siliconix 正向二极管电压 1.2V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V   正向跨导 52S  Vishay Siliconix 正向跨导 52S  MOSFET 晶体管 正向跨导 52S  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 正向跨导 52S   最大功率耗散 83 W  Vishay Siliconix 最大功率耗散 83 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 83 W  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 最大功率耗散 83 W   最大连续漏极电流 28 A  Vishay Siliconix 最大连续漏极电流 28 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 28 A  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 28 A   最大漏源电压 80 V  Vishay Siliconix 最大漏源电压 80 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 80 V  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 最大漏源电压 80 V   最大漏源电阻值 29 mΩ  Vishay Siliconix 最大漏源电阻值 29 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 29 mΩ  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 29 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Vishay Siliconix 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay Siliconix 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay Siliconix 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  Vishay Siliconix 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  

• Si7469DP, P-Channel 80V (D-S) MOSFET