AUIRFN8401TR,872-4145,Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFN8401TR, 84 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFN8401TR, 84 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装

制造商零件编号:
AUIRFN8401TR
库存编号:
872-4145
Infineon AUIRFN8401TR
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

AUIRFN8401TR产品详细信息

N 通道功率 MOSFET,40V,Infineon

Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

AUIRFN8401TR产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5.85mm  
  尺寸  5.85 x 5 x 1.17mm  
  典型关断延迟时间  22 ns  
  典型接通延迟时间  6.1 ns  
  典型输入电容值@Vds  2170 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  44 nC @ 10 V  
  封装类型  PQFN  
  高度  1.17mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  8  
  正向二极管电压  1.3V  
  正向跨导  144S  
  最大功率耗散  63 W  
  最大连续漏极电流  84 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  4.6 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.9V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2.2V  
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AUIRFN8401TR产品技术参数资料

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