MDD3N40RH,871-6646,MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDD3N40RH, 2 A, Vds=400 V, 3引脚 DPAK封装 ,MagnaChip
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MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDD3N40RH, 2 A, Vds=400 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号:
MDD3N40RH
库存编号:
871-6646
MagnaChip MDD3N40RH
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

MDD3N40RH产品详细信息

高电压 (HV) MOSFET

高电压,N 通道 MOSFET,带低通态电阻和高切换性能。

MDD3N40RH产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.39mm  
  典型关断延迟时间  12 ns  
  典型接通延迟时间  10 ns  
  典型输入电容值@Vds  167 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  5.1 nC @ 10 V  
  封装类型  DPAK  
  高度  2.39mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.4V  
  正向跨导  2S  
  最大功率耗散  30 W  
  最大连续漏极电流  2 A  
  最大漏源电压  400 V  
  最大漏源电阻值  3.4 Ω  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

MDD3N40RH产品技术参数资料

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