关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	表面贴装
长度	6.73mm
尺寸	6.73 x 6.22 x 2.39mm
典型关断延迟时间	40.4 ns
典型接通延迟时间	10.6 ns
典型输入电容值@Vds	275 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	6.7 nC @ 10 V
封装类型	DPAK
高度	2.39mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	6.22mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
正向二极管电压	1.4V
正向跨导	0.5S
最大功率耗散	42 W
最大连续漏极电流	1.9 A
最大漏源电压	600 V
最大漏源电阻值	4.5 Ω
最大栅阈值电压	5V
最大栅源电压	±30 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  MagnaChip 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  MagnaChip MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.73mm  MagnaChip 长度 6.73mm  MOSFET 晶体管 长度 6.73mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  MagnaChip 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm   典型关断延迟时间 40.4 ns  MagnaChip 典型关断延迟时间 40.4 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40.4 ns  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40.4 ns   典型接通延迟时间 10.6 ns  MagnaChip 典型接通延迟时间 10.6 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10.6 ns  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10.6 ns   典型输入电容值@Vds 275 pF @ 25 V  MagnaChip 典型输入电容值@Vds 275 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 275 pF @ 25 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 275 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 6.7 nC @ 10 V  MagnaChip 典型栅极电荷@Vgs 6.7 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 6.7 nC @ 10 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 6.7 nC @ 10 V   封装类型 DPAK  MagnaChip 封装类型 DPAK  MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK  MagnaChip MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK   高度 2.39mm  MagnaChip 高度 2.39mm  MOSFET 晶体管 高度 2.39mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 高度 2.39mm   晶体管材料 Si  MagnaChip 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  MagnaChip MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  MagnaChip 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  MagnaChip MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.22mm  MagnaChip 宽度 6.22mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm   每片芯片元件数目 1  MagnaChip 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  MagnaChip MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  MagnaChip 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  MagnaChip MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  MagnaChip 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  MagnaChip MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  MagnaChip 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  MagnaChip MOSFET 晶体管 引脚数目 3   正向二极管电压 1.4V  MagnaChip 正向二极管电压 1.4V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.4V  MagnaChip MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.4V   正向跨导 0.5S  MagnaChip 正向跨导 0.5S  MOSFET 晶体管 正向跨导 0.5S  MagnaChip MOSFET 晶体管 正向跨导 0.5S   最大功率耗散 42 W  MagnaChip 最大功率耗散 42 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 42 W  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大功率耗散 42 W   最大连续漏极电流 1.9 A  MagnaChip 最大连续漏极电流 1.9 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.9 A  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.9 A   最大漏源电压 600 V  MagnaChip 最大漏源电压 600 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V   最大漏源电阻值 4.5 Ω  MagnaChip 最大漏源电阻值 4.5 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 4.5 Ω  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 4.5 Ω   最大栅阈值电压 5V  MagnaChip 最大栅阈值电压 5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V   最大栅源电压 ±30 V  MagnaChip 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  MagnaChip 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  MagnaChip MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  MagnaChip 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  MagnaChip MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• MDD2N60RH HV MOSFET N-CH 600V 1.9A D-PAK