MMQ60R190PTH,871-5056,MagnaChip Si N沟道 MOSFET MMQ60R190PTH, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装 ,MagnaChip
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MagnaChip Si N沟道 MOSFET MMQ60R190PTH, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号:
MMQ60R190PTH
库存编号:
871-5056
MagnaChip MMQ60R190PTH
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

MMQ60R190PTH产品详细信息

超级接线盒 (SJ) MOSFET

这些 MOSFET 使用 MagnaChip 的超级接线盒技术提供低接通电阻和栅极电荷。 通过采用优化的电荷耦合技术可使其高效。

低 EMI
具有高速切换和低接通电阻,提供低功耗

MMQ60R190PTH产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  16.26mm  
  尺寸  16.26 x 5.31 x 21.46mm  
  典型关断延迟时间  146 ns  
  典型接通延迟时间  32 ns  
  典型输入电容值@Vds  1630 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  51 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-247  
  高度  21.46mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.31mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.4V  
  最大功率耗散  154 W  
  最大连续漏极电流  20 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  190 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

MMQ60R190PTH产品技术参数资料

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