关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	通孔
长度	10.29mm
尺寸	10.29 x 4.63 x 11.05mm
典型关断延迟时间	146 ns
典型接通延迟时间	32 ns
典型输入电容值@Vds	1630 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	51 nC @ 10 V
封装类型	TO-262
高度	11.05mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.63mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
正向二极管电压	1.4V
最大功率耗散	154 W
最大连续漏极电流	20 A
最大漏源电压	600 V
最大漏源电阻值	190 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±30 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 通孔  MagnaChip 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  MagnaChip MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.29mm  MagnaChip 长度 10.29mm  MOSFET 晶体管 长度 10.29mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 长度 10.29mm   尺寸 10.29 x 4.63 x 11.05mm  MagnaChip 尺寸 10.29 x 4.63 x 11.05mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.29 x 4.63 x 11.05mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 尺寸 10.29 x 4.63 x 11.05mm   典型关断延迟时间 146 ns  MagnaChip 典型关断延迟时间 146 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 146 ns  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 146 ns   典型接通延迟时间 32 ns  MagnaChip 典型接通延迟时间 32 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 32 ns  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 32 ns   典型输入电容值@Vds 1630 pF @ 25 V  MagnaChip 典型输入电容值@Vds 1630 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1630 pF @ 25 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1630 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V  MagnaChip 典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V   封装类型 TO-262  MagnaChip 封装类型 TO-262  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-262  MagnaChip MOSFET 晶体管 封装类型 TO-262   高度 11.05mm  MagnaChip 高度 11.05mm  MOSFET 晶体管 高度 11.05mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 高度 11.05mm   晶体管材料 Si  MagnaChip 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  MagnaChip MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  MagnaChip 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  MagnaChip MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.63mm  MagnaChip 宽度 4.63mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.63mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 宽度 4.63mm   类别 功率 MOSFET  MagnaChip 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  MagnaChip MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  MagnaChip 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  MagnaChip MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  MagnaChip 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  MagnaChip MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  MagnaChip 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  MagnaChip MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  MagnaChip 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  MagnaChip MOSFET 晶体管 引脚数目 3   正向二极管电压 1.4V  MagnaChip 正向二极管电压 1.4V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.4V  MagnaChip MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.4V   最大功率耗散 154 W  MagnaChip 最大功率耗散 154 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 154 W  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大功率耗散 154 W   最大连续漏极电流 20 A  MagnaChip 最大连续漏极电流 20 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 20 A  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 20 A   最大漏源电压 600 V  MagnaChip 最大漏源电压 600 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V   最大漏源电阻值 190 mΩ  MagnaChip 最大漏源电阻值 190 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 190 mΩ  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 190 mΩ   最大栅阈值电压 4V  MagnaChip 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±30 V  MagnaChip 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  MagnaChip 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  MagnaChip MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  MagnaChip 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  MagnaChip MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• MML60R190P 600V 0.19Ohm N-channel MOSFET