MMF65R190PTH,871-5044,MagnaChip N沟道 Si MOSFET MMF65R190PTH, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220F封装 ,MagnaChip
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MagnaChip N沟道 Si MOSFET MMF65R190PTH, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220F封装

制造商零件编号:
MMF65R190PTH
库存编号:
871-5044
MagnaChip MMF65R190PTH
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

MMF65R190PTH产品详细信息

超级接线盒 (SJ) MOSFET

这些 MOSFET 使用 MagnaChip 的超级接线盒技术提供低接通电阻和栅极电荷。 通过采用优化的电荷耦合技术可使其高效。

低 EMI
具有高速切换和低接通电阻,提供低功耗

MMF65R190PTH产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.71mm  
  尺寸  10.71 x 4.93 x 16.13mm  
  典型关断延迟时间  172 ns  
  典型接通延迟时间  40 ns  
  典型输入电容值@Vds  1860 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  53 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220F  
  高度  16.13mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.93mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.4V  
  最大功率耗散  34 W  
  最大连续漏极电流  20 A  
  最大漏源电压  650 V  
  最大漏源电阻值  190 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

MMF65R190PTH产品技术参数资料

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