关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	表面贴装
长度	6.1mm
尺寸	6.1 x 5.1 x 1.1mm
典型关断延迟时间	42.6 ns
典型接通延迟时间	12.6 ns
典型输入电容值@Vds	2521 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs	41.5 nC @ 10 V
封装类型	PowerDFN56
高度	1.1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.1mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	8
正向二极管电压	1.1V
正向跨导	46S
最大功率耗散	73.5 W
最大连续漏极电流	100 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	4.4 mΩ
最大栅阈值电压	2.7V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  MagnaChip 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  MagnaChip MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.1mm  MagnaChip 长度 6.1mm  MOSFET 晶体管 长度 6.1mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 长度 6.1mm   尺寸 6.1 x 5.1 x 1.1mm  MagnaChip 尺寸 6.1 x 5.1 x 1.1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.1 x 5.1 x 1.1mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 尺寸 6.1 x 5.1 x 1.1mm   典型关断延迟时间 42.6 ns  MagnaChip 典型关断延迟时间 42.6 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 42.6 ns  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 42.6 ns   典型接通延迟时间 12.6 ns  MagnaChip 典型接通延迟时间 12.6 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12.6 ns  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12.6 ns   典型输入电容值@Vds 2521 pF @ 15 V  MagnaChip 典型输入电容值@Vds 2521 pF @ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2521 pF @ 15 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2521 pF @ 15 V   典型栅极电荷@Vgs 41.5 nC @ 10 V  MagnaChip 典型栅极电荷@Vgs 41.5 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 41.5 nC @ 10 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 41.5 nC @ 10 V   封装类型 PowerDFN56  MagnaChip 封装类型 PowerDFN56  MOSFET 晶体管 封装类型 PowerDFN56  MagnaChip MOSFET 晶体管 封装类型 PowerDFN56   高度 1.1mm  MagnaChip 高度 1.1mm  MOSFET 晶体管 高度 1.1mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 高度 1.1mm   晶体管材料 Si  MagnaChip 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  MagnaChip MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  MagnaChip 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  MagnaChip MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.1mm  MagnaChip 宽度 5.1mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.1mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 宽度 5.1mm   每片芯片元件数目 1  MagnaChip 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  MagnaChip MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  MagnaChip 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  MagnaChip MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  MagnaChip 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  MagnaChip MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  MagnaChip 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  MagnaChip MOSFET 晶体管 引脚数目 8   正向二极管电压 1.1V  MagnaChip 正向二极管电压 1.1V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.1V  MagnaChip MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.1V   正向跨导 46S  MagnaChip 正向跨导 46S  MOSFET 晶体管 正向跨导 46S  MagnaChip MOSFET 晶体管 正向跨导 46S   最大功率耗散 73.5 W  MagnaChip 最大功率耗散 73.5 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 73.5 W  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大功率耗散 73.5 W   最大连续漏极电流 100 A  MagnaChip 最大连续漏极电流 100 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 A  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 A   最大漏源电压 30 V  MagnaChip 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 4.4 mΩ  MagnaChip 最大漏源电阻值 4.4 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 4.4 mΩ  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 4.4 mΩ   最大栅阈值电压 2.7V  MagnaChip 最大栅阈值电压 2.7V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.7V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.7V   最大栅源电压 ±20 V  MagnaChip 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  MagnaChip 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  MagnaChip MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  MagnaChip 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  MagnaChip MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• MDU1517 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 100.0A