MDS3603URH,871-4993,MagnaChip Si P沟道 MOSFET MDS3603URH, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 ,MagnaChip
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MagnaChip Si P沟道 MOSFET MDS3603URH, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号：
MDS3603URH
库存编号：
871-4993
MagnaChip MDS3603URH
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

MDS3603URH产品详细信息

低电压 (LV) MOSFET

这些低电压 (LV) MOSFET 提供低通态电阻和快速切换性能。

MDS3603URH产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.5mm  
  典型关断延迟时间  61.6 ns  
  典型接通延迟时间  15.3 ns  
  典型输入电容值@Vds  1788 pF @ -15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  38.4 nC @ 10 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  正向二极管电压  1V  
  正向跨导  28S  
  最大功率耗散  2.5 W  
  最大连续漏极电流  12 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  14.5 mΩ  
  最大栅阈值电压  3V  
  最大栅源电压  ±25 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

MDS3603URH产品技术参数资料

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