关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	表面贴装
长度	5mm
尺寸	5 x 4 x 1.5mm
典型关断延迟时间	17.4 ns
典型接通延迟时间	3.8 ns
典型输入电容值@Vds	460 pF @ 30 V
典型栅极电荷@Vgs	11.7 nC @ 10 V
封装类型	SOIC
高度	1.5mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	隔离式
宽度	4mm
每片芯片元件数目	2
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	8
正向二极管电压	0.75V
正向跨导	25S
最大功率耗散	2 W
最大连续漏极电流	7.5 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	35 mΩ
最大栅阈值电压	3V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  MagnaChip 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  MagnaChip MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5mm  MagnaChip 长度 5mm  MOSFET 晶体管 长度 5mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 长度 5mm   尺寸 5 x 4 x 1.5mm  MagnaChip 尺寸 5 x 4 x 1.5mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.5mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.5mm   典型关断延迟时间 17.4 ns  MagnaChip 典型关断延迟时间 17.4 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 17.4 ns  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 17.4 ns   典型接通延迟时间 3.8 ns  MagnaChip 典型接通延迟时间 3.8 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 3.8 ns  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 3.8 ns   典型输入电容值@Vds 460 pF @ 30 V  MagnaChip 典型输入电容值@Vds 460 pF @ 30 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 460 pF @ 30 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 460 pF @ 30 V   典型栅极电荷@Vgs 11.7 nC @ 10 V  MagnaChip 典型栅极电荷@Vgs 11.7 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 11.7 nC @ 10 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 11.7 nC @ 10 V   封装类型 SOIC  MagnaChip 封装类型 SOIC  MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC  MagnaChip MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC   高度 1.5mm  MagnaChip 高度 1.5mm  MOSFET 晶体管 高度 1.5mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 高度 1.5mm   晶体管材料 Si  MagnaChip 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  MagnaChip MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  MagnaChip 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  MagnaChip MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 4mm  MagnaChip 宽度 4mm  MOSFET 晶体管 宽度 4mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 宽度 4mm   每片芯片元件数目 2  MagnaChip 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  MagnaChip MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N  MagnaChip 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  MagnaChip MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  MagnaChip 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  MagnaChip MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  MagnaChip 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  MagnaChip MOSFET 晶体管 引脚数目 8   正向二极管电压 0.75V  MagnaChip 正向二极管电压 0.75V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 0.75V  MagnaChip MOSFET 晶体管 正向二极管电压 0.75V   正向跨导 25S  MagnaChip 正向跨导 25S  MOSFET 晶体管 正向跨导 25S  MagnaChip MOSFET 晶体管 正向跨导 25S   最大功率耗散 2 W  MagnaChip 最大功率耗散 2 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2 W  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2 W   最大连续漏极电流 7.5 A  MagnaChip 最大连续漏极电流 7.5 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 7.5 A  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 7.5 A   最大漏源电压 30 V  MagnaChip 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 35 mΩ  MagnaChip 最大漏源电阻值 35 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 35 mΩ  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 35 mΩ   最大栅阈值电压 3V  MagnaChip 最大栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V   最大栅源电压 ±20 V  MagnaChip 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  MagnaChip 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  MagnaChip MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  MagnaChip 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  MagnaChip MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• MDS5652 Dual N-Channel Trench MOSFET, 30V, 7.5A