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安装类型	表面贴装
长度	4.9mm
尺寸	4.9 x 3.9 x 1.5mm
典型关断延迟时间	25.4 ns
典型接通延迟时间	7.2 ns
典型输入电容值@Vds	1017 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs	16.2 nC @ 10 V
封装类型	SOIC
高度	1.5mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	3.9mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	8
正向二极管电压	1.1V
正向跨导	29S
最大功率耗散	5.3 W
最大连续漏极电流	19 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	11.7 mΩ
最大栅阈值电压	2.7V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  MagnaChip 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  MagnaChip MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 4.9mm  MagnaChip 长度 4.9mm  MOSFET 晶体管 长度 4.9mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 长度 4.9mm   尺寸 4.9 x 3.9 x 1.5mm  MagnaChip 尺寸 4.9 x 3.9 x 1.5mm  MOSFET 晶体管 尺寸 4.9 x 3.9 x 1.5mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 尺寸 4.9 x 3.9 x 1.5mm   典型关断延迟时间 25.4 ns  MagnaChip 典型关断延迟时间 25.4 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 25.4 ns  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 25.4 ns   典型接通延迟时间 7.2 ns  MagnaChip 典型接通延迟时间 7.2 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7.2 ns  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7.2 ns   典型输入电容值@Vds 1017 pF @ 15 V  MagnaChip 典型输入电容值@Vds 1017 pF @ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1017 pF @ 15 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1017 pF @ 15 V   典型栅极电荷@Vgs 16.2 nC @ 10 V  MagnaChip 典型栅极电荷@Vgs 16.2 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 16.2 nC @ 10 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 16.2 nC @ 10 V   封装类型 SOIC  MagnaChip 封装类型 SOIC  MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC  MagnaChip MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC   高度 1.5mm  MagnaChip 高度 1.5mm  MOSFET 晶体管 高度 1.5mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 高度 1.5mm   晶体管材料 Si  MagnaChip 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  MagnaChip MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  MagnaChip 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  MagnaChip MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.9mm  MagnaChip 宽度 3.9mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.9mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 宽度 3.9mm   每片芯片元件数目 1  MagnaChip 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  MagnaChip MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  MagnaChip 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  MagnaChip MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  MagnaChip 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  MagnaChip MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  MagnaChip 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  MagnaChip MOSFET 晶体管 引脚数目 8   正向二极管电压 1.1V  MagnaChip 正向二极管电压 1.1V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.1V  MagnaChip MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.1V   正向跨导 29S  MagnaChip 正向跨导 29S  MOSFET 晶体管 正向跨导 29S  MagnaChip MOSFET 晶体管 正向跨导 29S   最大功率耗散 5.3 W  MagnaChip 最大功率耗散 5.3 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 5.3 W  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大功率耗散 5.3 W   最大连续漏极电流 19 A  MagnaChip 最大连续漏极电流 19 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 19 A  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 19 A   最大漏源电压 30 V  MagnaChip 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 11.7 mΩ  MagnaChip 最大漏源电阻值 11.7 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 11.7 mΩ  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 11.7 mΩ   最大栅阈值电压 2.7V  MagnaChip 最大栅阈值电压 2.7V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.7V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.7V   最大栅源电压 ±20 V  MagnaChip 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  MagnaChip 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  MagnaChip MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  MagnaChip 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  MagnaChip MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• MDS1524 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 19.3A