MDP1922TH,871-4968,MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDP1922TH, 97 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装 ,MagnaChip
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MDP1922TH
MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDP1922TH, 97 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号:
MDP1922TH
制造商:
MagnaChip
MagnaChip
库存编号:
871-4968
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
MDP1922TH产品详细信息
低电压 (LV) MOSFET
这些低电压 (LV) MOSFET 提供低通态电阻和快速切换性能。
MDP1922TH产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.67mm
尺寸
10.67 x 4.83 x 16.51mm
典型关断延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
13.8 ns
典型输入电容值@Vds
3500 pF @ 40 V
典型栅极电荷@Vgs
54.5 nC @ 10 V
封装类型
TO-220
高度
16.51mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.83mm
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3
正向二极管电压
1.2V
正向跨导
60S
最大功率耗散
157 W
最大连续漏极电流
97 A
最大漏源电压
100 V
最大漏源电阻值
8.4 mΩ
最大栅阈值电压
4V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
MDP1922TH相关搜索
安装类型 通孔
MagnaChip 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
MagnaChip MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 10.67mm
MagnaChip 长度 10.67mm
MOSFET 晶体管 长度 10.67mm
MagnaChip MOSFET 晶体管 长度 10.67mm
尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm
MagnaChip 尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm
MagnaChip MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm
典型关断延迟时间 39 ns
MagnaChip 典型关断延迟时间 39 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 39 ns
MagnaChip MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 13.8 ns
MagnaChip 典型接通延迟时间 13.8 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13.8 ns
MagnaChip MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13.8 ns
典型输入电容值@Vds 3500 pF @ 40 V
MagnaChip 典型输入电容值@Vds 3500 pF @ 40 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3500 pF @ 40 V
MagnaChip MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3500 pF @ 40 V
典型栅极电荷@Vgs 54.5 nC @ 10 V
MagnaChip 典型栅极电荷@Vgs 54.5 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 54.5 nC @ 10 V
MagnaChip MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 54.5 nC @ 10 V
封装类型 TO-220
MagnaChip 封装类型 TO-220
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220
MagnaChip MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220
高度 16.51mm
MagnaChip 高度 16.51mm
MOSFET 晶体管 高度 16.51mm
MagnaChip MOSFET 晶体管 高度 16.51mm
晶体管材料 Si
MagnaChip 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
MagnaChip MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
MagnaChip 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
MagnaChip MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.83mm
MagnaChip 宽度 4.83mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm
MagnaChip MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm
每片芯片元件数目 1
MagnaChip 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
MagnaChip MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
MagnaChip 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
MagnaChip MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
MagnaChip 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
MagnaChip MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
MagnaChip 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
MagnaChip MOSFET 晶体管 引脚数目 3
正向二极管电压 1.2V
MagnaChip 正向二极管电压 1.2V
MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V
MagnaChip MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V
正向跨导 60S
MagnaChip 正向跨导 60S
MOSFET 晶体管 正向跨导 60S
MagnaChip MOSFET 晶体管 正向跨导 60S
最大功率耗散 157 W
MagnaChip 最大功率耗散 157 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 157 W
MagnaChip MOSFET 晶体管 最大功率耗散 157 W
最大连续漏极电流 97 A
MagnaChip 最大连续漏极电流 97 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 97 A
MagnaChip MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 97 A
最大漏源电压 100 V
MagnaChip 最大漏源电压 100 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V
MagnaChip MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V
最大漏源电阻值 8.4 mΩ
MagnaChip 最大漏源电阻值 8.4 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 8.4 mΩ
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最大栅阈值电压 4V
MagnaChip 最大栅阈值电压 4V
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MagnaChip MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V
最大栅源电压 ±20 V
MagnaChip 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
MagnaChip MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -55 °C
MagnaChip 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
MagnaChip MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
MagnaChip 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
MagnaChip MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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MDP1922TH产品技术参数资料
MDP1922 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 97A
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新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
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