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安装类型	通孔
长度	10.67mm
尺寸	10.67 x 4.83 x 16.51mm
典型关断延迟时间	93 ns
典型接通延迟时间	30.4 ns
典型输入电容值@Vds	6750 pF @ 40 V
典型栅极电荷@Vgs	100 nC @ 10 V
封装类型	TO-220
高度	16.51mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.83mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
正向二极管电压	1.2V
正向跨导	120S
最大功率耗散	223 W
最大连续漏极电流	153 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	4.5 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 通孔  MagnaChip 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  MagnaChip MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.67mm  MagnaChip 长度 10.67mm  MOSFET 晶体管 长度 10.67mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm  MagnaChip 尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm   典型关断延迟时间 93 ns  MagnaChip 典型关断延迟时间 93 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 93 ns  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 93 ns   典型接通延迟时间 30.4 ns  MagnaChip 典型接通延迟时间 30.4 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 30.4 ns  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 30.4 ns   典型输入电容值@Vds 6750 pF @ 40 V  MagnaChip 典型输入电容值@Vds 6750 pF @ 40 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 6750 pF @ 40 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 6750 pF @ 40 V   典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V  MagnaChip 典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V   封装类型 TO-220  MagnaChip 封装类型 TO-220  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220  MagnaChip MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220   高度 16.51mm  MagnaChip 高度 16.51mm  MOSFET 晶体管 高度 16.51mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 高度 16.51mm   晶体管材料 Si  MagnaChip 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  MagnaChip MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  MagnaChip 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  MagnaChip MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.83mm  MagnaChip 宽度 4.83mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm   每片芯片元件数目 1  MagnaChip 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  MagnaChip MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  MagnaChip 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  MagnaChip MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  MagnaChip 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  MagnaChip MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  MagnaChip 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  MagnaChip MOSFET 晶体管 引脚数目 3   正向二极管电压 1.2V  MagnaChip 正向二极管电压 1.2V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V  MagnaChip MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V   正向跨导 120S  MagnaChip 正向跨导 120S  MOSFET 晶体管 正向跨导 120S  MagnaChip MOSFET 晶体管 正向跨导 120S   最大功率耗散 223 W  MagnaChip 最大功率耗散 223 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 223 W  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大功率耗散 223 W   最大连续漏极电流 153 A  MagnaChip 最大连续漏极电流 153 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 153 A  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 153 A   最大漏源电压 100 V  MagnaChip 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 4.5 mΩ  MagnaChip 最大漏源电阻值 4.5 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 4.5 mΩ  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 4.5 mΩ   最大栅阈值电压 4V  MagnaChip 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±20 V  MagnaChip 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  MagnaChip 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  MagnaChip MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  MagnaChip 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  MagnaChip MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• MDP1921 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 120A