MDP10N60GTH,871-4946,MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDP10N60GTH, 10 A, Vds=660 V, 3引脚 TO-220封装 ,MagnaChip
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MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDP10N60GTH, 10 A, Vds=660 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号:
MDP10N60GTH
库存编号:
871-4946
MagnaChip MDP10N60GTH
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

MDP10N60GTH产品详细信息

高电压 (HV) MOSFET

高电压,N 通道 MOSFET,带低通态电阻和高切换性能。

MDP10N60GTH产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 4.83 x 16.51mm  
  典型关断延迟时间  116 ns  
  典型接通延迟时间  53 ns  
  典型输入电容值@Vds  1360 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  32 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  16.51mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.83mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.4V  
  正向跨导  9S  
  最大功率耗散  156 W  
  最大连续漏极电流  10 A  
  最大漏源电压  660 V  
  最大漏源电阻值  700 mΩ  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

MDP10N60GTH产品技术参数资料

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