关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	通孔
长度	10.71mm
尺寸	10.71 x 4.93 x 16.13mm
典型关断延迟时间	68 ns
典型接通延迟时间	14.1 ns
典型输入电容值@Vds	792 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	15.7 nC @ 10 V
封装类型	TO-220F
高度	16.13mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.93mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
正向二极管电压	1.4V
正向跨导	7S
最大功率耗散	38 W
最大连续漏极电流	9 A
最大漏源电压	500 V
最大漏源电阻值	850 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±30 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 通孔  MagnaChip 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  MagnaChip MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.71mm  MagnaChip 长度 10.71mm  MOSFET 晶体管 长度 10.71mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 长度 10.71mm   尺寸 10.71 x 4.93 x 16.13mm  MagnaChip 尺寸 10.71 x 4.93 x 16.13mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.71 x 4.93 x 16.13mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 尺寸 10.71 x 4.93 x 16.13mm   典型关断延迟时间 68 ns  MagnaChip 典型关断延迟时间 68 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 68 ns  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 68 ns   典型接通延迟时间 14.1 ns  MagnaChip 典型接通延迟时间 14.1 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 14.1 ns  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 14.1 ns   典型输入电容值@Vds 792 pF @ 25 V  MagnaChip 典型输入电容值@Vds 792 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 792 pF @ 25 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 792 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 15.7 nC @ 10 V  MagnaChip 典型栅极电荷@Vgs 15.7 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 15.7 nC @ 10 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 15.7 nC @ 10 V   封装类型 TO-220F  MagnaChip 封装类型 TO-220F  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220F  MagnaChip MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220F   高度 16.13mm  MagnaChip 高度 16.13mm  MOSFET 晶体管 高度 16.13mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 高度 16.13mm   晶体管材料 Si  MagnaChip 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  MagnaChip MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  MagnaChip 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  MagnaChip MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.93mm  MagnaChip 宽度 4.93mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.93mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 宽度 4.93mm   每片芯片元件数目 1  MagnaChip 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  MagnaChip MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  MagnaChip 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  MagnaChip MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  MagnaChip 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  MagnaChip MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  MagnaChip 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  MagnaChip MOSFET 晶体管 引脚数目 3   正向二极管电压 1.4V  MagnaChip 正向二极管电压 1.4V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.4V  MagnaChip MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.4V   正向跨导 7S  MagnaChip 正向跨导 7S  MOSFET 晶体管 正向跨导 7S  MagnaChip MOSFET 晶体管 正向跨导 7S   最大功率耗散 38 W  MagnaChip 最大功率耗散 38 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 38 W  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大功率耗散 38 W   最大连续漏极电流 9 A  MagnaChip 最大连续漏极电流 9 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 9 A  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 9 A   最大漏源电压 500 V  MagnaChip 最大漏源电压 500 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V   最大漏源电阻值 850 mΩ  MagnaChip 最大漏源电阻值 850 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 850 mΩ  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 850 mΩ   最大栅阈值电压 4V  MagnaChip 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±30 V  MagnaChip 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  MagnaChip 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  MagnaChip MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  MagnaChip 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  MagnaChip MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• MDP9N50B / MDF9N50B N-Channel MOSFET 500V, 9.0 A