MDF11N60BTH,871-4915,MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDF11N60BTH, 11 A, Vds=660 V, 3引脚 TO-220F封装 ,MagnaChip
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MDF11N60BTH
MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDF11N60BTH, 11 A, Vds=660 V, 3引脚 TO-220F封装
制造商零件编号:
MDF11N60BTH
制造商:
MagnaChip
MagnaChip
库存编号:
871-4915
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
MDF11N60BTH产品详细信息
高电压 (HV) MOSFET
高电压,N 通道 MOSFET,带低通态电阻和高切换性能。
MDF11N60BTH产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.71mm
尺寸
10.71 x 4.93 x 16.13mm
典型关断延迟时间
76 ns
典型接通延迟时间
38 ns
典型输入电容值@Vds
1700 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
38.4 nC @ 10 V
封装类型
TO-220F
高度
16.13mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.93mm
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3
正向二极管电压
1.4V
正向跨导
13S
最大功率耗散
49 W
最大连续漏极电流
11 A
最大漏源电压
660 V
最大漏源电阻值
550 mΩ
最大栅阈值电压
5V
最大栅源电压
±30 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
MDF11N60BTH相关搜索
安装类型 通孔
MagnaChip 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
MagnaChip MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 10.71mm
MagnaChip 长度 10.71mm
MOSFET 晶体管 长度 10.71mm
MagnaChip MOSFET 晶体管 长度 10.71mm
尺寸 10.71 x 4.93 x 16.13mm
MagnaChip 尺寸 10.71 x 4.93 x 16.13mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.71 x 4.93 x 16.13mm
MagnaChip MOSFET 晶体管 尺寸 10.71 x 4.93 x 16.13mm
典型关断延迟时间 76 ns
MagnaChip 典型关断延迟时间 76 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 76 ns
MagnaChip MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 76 ns
典型接通延迟时间 38 ns
MagnaChip 典型接通延迟时间 38 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 38 ns
MagnaChip MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 38 ns
典型输入电容值@Vds 1700 pF @ 25 V
MagnaChip 典型输入电容值@Vds 1700 pF @ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1700 pF @ 25 V
MagnaChip MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1700 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 38.4 nC @ 10 V
MagnaChip 典型栅极电荷@Vgs 38.4 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 38.4 nC @ 10 V
MagnaChip MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 38.4 nC @ 10 V
封装类型 TO-220F
MagnaChip 封装类型 TO-220F
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220F
MagnaChip MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220F
高度 16.13mm
MagnaChip 高度 16.13mm
MOSFET 晶体管 高度 16.13mm
MagnaChip MOSFET 晶体管 高度 16.13mm
晶体管材料 Si
MagnaChip 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
MagnaChip MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
MagnaChip 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
MagnaChip MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.93mm
MagnaChip 宽度 4.93mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.93mm
MagnaChip MOSFET 晶体管 宽度 4.93mm
每片芯片元件数目 1
MagnaChip 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
MagnaChip MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
MagnaChip 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
MagnaChip MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
MagnaChip 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
MagnaChip MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
MagnaChip 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
MagnaChip MOSFET 晶体管 引脚数目 3
正向二极管电压 1.4V
MagnaChip 正向二极管电压 1.4V
MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.4V
MagnaChip MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.4V
正向跨导 13S
MagnaChip 正向跨导 13S
MOSFET 晶体管 正向跨导 13S
MagnaChip MOSFET 晶体管 正向跨导 13S
最大功率耗散 49 W
MagnaChip 最大功率耗散 49 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 49 W
MagnaChip MOSFET 晶体管 最大功率耗散 49 W
最大连续漏极电流 11 A
MagnaChip 最大连续漏极电流 11 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11 A
MagnaChip MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11 A
最大漏源电压 660 V
MagnaChip 最大漏源电压 660 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 660 V
MagnaChip MOSFET 晶体管 最大漏源电压 660 V
最大漏源电阻值 550 mΩ
MagnaChip 最大漏源电阻值 550 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 550 mΩ
MagnaChip MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 550 mΩ
最大栅阈值电压 5V
MagnaChip 最大栅阈值电压 5V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V
MagnaChip MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V
最大栅源电压 ±30 V
MagnaChip 最大栅源电压 ±30 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V
MagnaChip MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V
最低工作温度 -55 °C
MagnaChip 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
MagnaChip MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
MagnaChip 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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MDF11N60BTH产品技术参数资料
MDF11N60 N-Channel MOSFET 600V, 11A
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