关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	表面贴装
长度	6.73mm
尺寸	6.73 x 6.22 x 2.39mm
典型关断延迟时间	16.2 ns
典型接通延迟时间	6.8 ns
典型输入电容值@Vds	475 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	8.8 nC @ 10 V
封装类型	DPAK
高度	2.39mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	6.22mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
正向二极管电压	1.2V
正向跨导	17S
最大功率耗散	36.8 W
最大连续漏极电流	12.8 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	110 mΩ
最大栅阈值电压	3V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  MagnaChip 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  MagnaChip MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.73mm  MagnaChip 长度 6.73mm  MOSFET 晶体管 长度 6.73mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  MagnaChip 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm   典型关断延迟时间 16.2 ns  MagnaChip 典型关断延迟时间 16.2 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 16.2 ns  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 16.2 ns   典型接通延迟时间 6.8 ns  MagnaChip 典型接通延迟时间 6.8 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.8 ns  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.8 ns   典型输入电容值@Vds 475 pF @ 25 V  MagnaChip 典型输入电容值@Vds 475 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 475 pF @ 25 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 475 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 8.8 nC @ 10 V  MagnaChip 典型栅极电荷@Vgs 8.8 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 8.8 nC @ 10 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 8.8 nC @ 10 V   封装类型 DPAK  MagnaChip 封装类型 DPAK  MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK  MagnaChip MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK   高度 2.39mm  MagnaChip 高度 2.39mm  MOSFET 晶体管 高度 2.39mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 高度 2.39mm   晶体管材料 Si  MagnaChip 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  MagnaChip MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  MagnaChip 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  MagnaChip MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.22mm  MagnaChip 宽度 6.22mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm   每片芯片元件数目 1  MagnaChip 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  MagnaChip MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  MagnaChip 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  MagnaChip MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  MagnaChip 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  MagnaChip MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  MagnaChip 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  MagnaChip MOSFET 晶体管 引脚数目 3   正向二极管电压 1.2V  MagnaChip 正向二极管电压 1.2V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V  MagnaChip MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V   正向跨导 17S  MagnaChip 正向跨导 17S  MOSFET 晶体管 正向跨导 17S  MagnaChip MOSFET 晶体管 正向跨导 17S   最大功率耗散 36.8 W  MagnaChip 最大功率耗散 36.8 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 36.8 W  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大功率耗散 36.8 W   最大连续漏极电流 12.8 A  MagnaChip 最大连续漏极电流 12.8 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 12.8 A  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 12.8 A   最大漏源电压 100 V  MagnaChip 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 110 mΩ  MagnaChip 最大漏源电阻值 110 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 110 mΩ  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 110 mΩ   最大栅阈值电压 3V  MagnaChip 最大栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V   最大栅源电压 ±20 V  MagnaChip 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  MagnaChip 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  MagnaChip MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  MagnaChip 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  MagnaChip MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C