MDC0531EURH,871-4892,MagnaChip 双 Si N沟道 MOSFET MDC0531EURH, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 TSSOP封装 ,MagnaChip
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MagnaChip 双 Si N沟道 MOSFET MDC0531EURH, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 TSSOP封装

制造商零件编号:
MDC0531EURH
库存编号:
871-4892
MagnaChip MDC0531EURH
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

MDC0531EURH产品详细信息

低电压 (LV) MOSFET

这些低电压 (LV) MOSFET 提供低通态电阻和快速切换性能。

MDC0531EURH产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.1mm  
  尺寸  3.1 x 4.5 x 1.05mm  
  典型关断延迟时间  27 ns  
  典型接通延迟时间  3.5 ns  
  典型输入电容值@Vds  870 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  10.7 nC @ 4.5 V  
  封装类型  TSSOP  
  高度  1.05mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  共漏极  
  宽度  4.5mm  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  正向二极管电压  1V  
  正向跨导  33S  
  最大功率耗散  1.7 W  
  最大连续漏极电流  8 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  23 mΩ  
  最大栅阈值电压  1.5V  
  最大栅源电压  ±12 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

MDC0531EURH产品技术参数资料

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