关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	表面贴装
长度	3.1mm
尺寸	3.1 x 4.5 x 1.05mm
典型关断延迟时间	27 ns
典型接通延迟时间	3.5 ns
典型输入电容值@Vds	870 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs	10.7 nC @ 4.5 V
封装类型	TSSOP
高度	1.05mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	共漏极
宽度	4.5mm
每片芯片元件数目	2
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	8
正向二极管电压	1V
正向跨导	33S
最大功率耗散	1.7 W
最大连续漏极电流	8 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	23 mΩ
最大栅阈值电压	1.5V
最大栅源电压	±12 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  MagnaChip 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  MagnaChip MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.1mm  MagnaChip 长度 3.1mm  MOSFET 晶体管 长度 3.1mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 长度 3.1mm   尺寸 3.1 x 4.5 x 1.05mm  MagnaChip 尺寸 3.1 x 4.5 x 1.05mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3.1 x 4.5 x 1.05mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 尺寸 3.1 x 4.5 x 1.05mm   典型关断延迟时间 27 ns  MagnaChip 典型关断延迟时间 27 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 27 ns  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 27 ns   典型接通延迟时间 3.5 ns  MagnaChip 典型接通延迟时间 3.5 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 3.5 ns  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 3.5 ns   典型输入电容值@Vds 870 pF @ 15 V  MagnaChip 典型输入电容值@Vds 870 pF @ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 870 pF @ 15 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 870 pF @ 15 V   典型栅极电荷@Vgs 10.7 nC @ 4.5 V  MagnaChip 典型栅极电荷@Vgs 10.7 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 10.7 nC @ 4.5 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 10.7 nC @ 4.5 V   封装类型 TSSOP  MagnaChip 封装类型 TSSOP  MOSFET 晶体管 封装类型 TSSOP  MagnaChip MOSFET 晶体管 封装类型 TSSOP   高度 1.05mm  MagnaChip 高度 1.05mm  MOSFET 晶体管 高度 1.05mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 高度 1.05mm   晶体管材料 Si  MagnaChip 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  MagnaChip MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 共漏极  MagnaChip 晶体管配置 共漏极  MOSFET 晶体管 晶体管配置 共漏极  MagnaChip MOSFET 晶体管 晶体管配置 共漏极   宽度 4.5mm  MagnaChip 宽度 4.5mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.5mm  MagnaChip MOSFET 晶体管 宽度 4.5mm   每片芯片元件数目 2  MagnaChip 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  MagnaChip MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N  MagnaChip 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  MagnaChip MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  MagnaChip 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  MagnaChip MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  MagnaChip 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  MagnaChip MOSFET 晶体管 引脚数目 8   正向二极管电压 1V  MagnaChip 正向二极管电压 1V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1V  MagnaChip MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1V   正向跨导 33S  MagnaChip 正向跨导 33S  MOSFET 晶体管 正向跨导 33S  MagnaChip MOSFET 晶体管 正向跨导 33S   最大功率耗散 1.7 W  MagnaChip 最大功率耗散 1.7 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.7 W  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.7 W   最大连续漏极电流 8 A  MagnaChip 最大连续漏极电流 8 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 8 A  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 8 A   最大漏源电压 30 V  MagnaChip 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 23 mΩ  MagnaChip 最大漏源电阻值 23 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 23 mΩ  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 23 mΩ   最大栅阈值电压 1.5V  MagnaChip 最大栅阈值电压 1.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V   最大栅源电压 ±12 V  MagnaChip 最大栅源电压 ±12 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V  MagnaChip MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V   最低工作温度 -55 °C  MagnaChip 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  MagnaChip MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  MagnaChip 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  MagnaChip MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• MDC0531E Common-Drain N-Channel Trench MOSFET 30V, 8.0 A