FDZ1416NZ,864-8748,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDZ1416NZ, 7 A, Vds=24 V, 4引脚 WLCSP封装 ,Fairchild Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDZ1416NZ, 7 A, Vds=24 V, 4引脚 WLCSP封装

制造商零件编号:
FDZ1416NZ
库存编号:
864-8748
Fairchild Semiconductor FDZ1416NZ
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

FDZ1416NZ产品详细信息

PowerTrench? 双 N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor

PowerTrench? MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
最新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。
PowerTrench? MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

FDZ1416NZ产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  1.6mm  
  尺寸  1.6 x 1.4 x 0.15mm  
  典型关断延迟时间  37 ns  
  典型接通延迟时间  9.5 ns  
  典型输入电容值@Vds  1140 pF @ 12 V  
  典型栅极电荷@Vgs  12 nC @ 4.5 V  
  封装类型  WLCSP  
  高度  0.15mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  共漏极  
  宽度  1.4mm  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  4  
  最大功率耗散  1.7 W  
  最大连续漏极电流  7 A  
  最大漏源电压  24 V  
  最大漏源电阻值  36 mΩ  
  最大栅源电压  ±12 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.4V  
关键词         

FDZ1416NZ相关搜索

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 1.6mm  Fairchild Semiconductor 长度 1.6mm  MOSFET 晶体管 长度 1.6mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 1.6mm   尺寸 1.6 x 1.4 x 0.15mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 1.6 x 1.4 x 0.15mm  MOSFET 晶体管 尺寸 1.6 x 1.4 x 0.15mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 1.6 x 1.4 x 0.15mm   典型关断延迟时间 37 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 37 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 37 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 37 ns   典型接通延迟时间 9.5 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 9.5 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9.5 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9.5 ns   典型输入电容值@Vds 1140 pF @ 12 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 1140 pF @ 12 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1140 pF @ 12 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1140 pF @ 12 V   典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 4.5 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 4.5 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 4.5 V   封装类型 WLCSP  Fairchild Semiconductor 封装类型 WLCSP  MOSFET 晶体管 封装类型 WLCSP  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 WLCSP   高度 0.15mm  Fairchild Semiconductor 高度 0.15mm  MOSFET 晶体管 高度 0.15mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 0.15mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 共漏极  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 共漏极  MOSFET 晶体管 晶体管配置 共漏极  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 共漏极   宽度 1.4mm  Fairchild Semiconductor 宽度 1.4mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm   每片芯片元件数目 2  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor 系列 PowerTrench  MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench   引脚数目 4  Fairchild Semiconductor 引脚数目 4  MOSFET 晶体管 引脚数目 4  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 4   最大功率耗散 1.7 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 1.7 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.7 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.7 W   最大连续漏极电流 7 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 7 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 7 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 7 A   最大漏源电压 24 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 24 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 24 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 24 V   最大漏源电阻值 36 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 36 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 36 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 36 mΩ   最大栅源电压 ±12 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±12 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.4V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 0.4V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.4V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.4V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号