FDZ1323NZ,864-8745,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDZ1323NZ, 10 A, Vds=20 V, 6引脚 WLCSP封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDZ1323NZ, 10 A, Vds=20 V, 6引脚 WLCSP封装

制造商零件编号：
FDZ1323NZ
库存编号：
864-8745
Fairchild Semiconductor FDZ1323NZ
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FDZ1323NZ产品详细信息

PowerTrench? 双 N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor

PowerTrench? MOSFET 是优化的电源开关，可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
最新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。
PowerTrench? MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

FDZ1323NZ产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.3mm  
  尺寸  2.3 x 1.3 x 0.15mm  
  典型关断延迟时间  34 ns  
  典型接通延迟时间  12 ns  
  典型输入电容值@Vds  1545 pF @ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  17 nC @ 4.5 V  
  封装类型  WLCSP  
  高度  0.15mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  共漏极  
  宽度  1.3mm  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  2 W  
  最大连续漏极电流  10 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  20 mΩ  
  最大栅源电压  ±12 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.4V  
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