FDSS2407,864-8739,Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDSS2407, 3.3 A, Vds=62 V, 8引脚 SOIC封装 ,Fairchild Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDSS2407, 3.3 A, Vds=62 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
FDSS2407
库存编号:
864-8739
Fairchild Semiconductor FDSS2407
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

FDSS2407产品详细信息

汽车双 N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。

FDSS2407产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  4.9mm  
  尺寸  4.9 x 3.9 x 1.575mm  
  典型关断延迟时间  8700 ns  
  典型接通延迟时间  630 ns  
  典型输入电容值@Vds  300 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  3.3 nC @ 5 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.575mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  3.9mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2.27 W  
  最大连续漏极电流  3.3 A  
  最大漏源电压  62 V  
  最大漏源电阻值  132 mΩ  
  最大栅阈值电压  3V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
关键词         

FDSS2407相关搜索

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 4.9mm  Fairchild Semiconductor 长度 4.9mm  MOSFET 晶体管 长度 4.9mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 4.9mm   尺寸 4.9 x 3.9 x 1.575mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 4.9 x 3.9 x 1.575mm  MOSFET 晶体管 尺寸 4.9 x 3.9 x 1.575mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 4.9 x 3.9 x 1.575mm   典型关断延迟时间 8700 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 8700 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 8700 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 8700 ns   典型接通延迟时间 630 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 630 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 630 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 630 ns   典型输入电容值@Vds 300 pF @ 15 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 300 pF @ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 300 pF @ 15 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 300 pF @ 15 V   典型栅极电荷@Vgs 3.3 nC @ 5 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 3.3 nC @ 5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 3.3 nC @ 5 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 3.3 nC @ 5 V   封装类型 SOIC  Fairchild Semiconductor 封装类型 SOIC  MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC   高度 1.575mm  Fairchild Semiconductor 高度 1.575mm  MOSFET 晶体管 高度 1.575mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1.575mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 3.9mm  Fairchild Semiconductor 宽度 3.9mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.9mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 3.9mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 2  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  Fairchild Semiconductor 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 2.27 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 2.27 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.27 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.27 W   最大连续漏极电流 3.3 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 3.3 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.3 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.3 A   最大漏源电压 62 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 62 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 62 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 62 V   最大漏源电阻值 132 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 132 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 132 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 132 mΩ   最大栅阈值电压 3V  Fairchild Semiconductor 最大栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

FDSS2407产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号