FDU6N25,864-8736,Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDU6N25, 4.4 A, Vds=250 V, 3引脚 IPAK封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDU6N25, 4.4 A, Vds=250 V, 3引脚 IPAK封装

制造商零件编号：
FDU6N25
库存编号：
864-8736
Fairchild Semiconductor FDU6N25
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FDU6N25产品详细信息

UniFET? N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor

UniFET? MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II? MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。
UniFET? MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。

FDU6N25产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  6.8mm  
  尺寸  6.8 x 2.5 x 7.57mm  
  典型关断延迟时间  7 ns  
  典型接通延迟时间  10 ns  
  典型输入电容值@Vds  194 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  10 V 时，4.5 常闭  
  封装类型  IPAK  
  高度  7.57mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  2.5mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  UniFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  50 W  
  最大连续漏极电流  4.4 A  
  最大漏源电压  250 V  
  最大漏源电阻值  1.1 Ω  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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