FDS8984_F085,864-8723,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS8984_F085, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS8984_F085, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
FDS8984_F085
库存编号:
864-8723
Fairchild Semiconductor FDS8984_F085
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

FDS8984_F085产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor

FDS8984_F085产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  4.9mm  
  尺寸  4.9 x 3.9 x 1.575mm  
  典型关断延迟时间  42 ns  
  典型接通延迟时间  5 ns  
  典型输入电容值@Vds  475 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  9.2 nC @ 10 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.575mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  3.9mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  1.6 W  
  最大连续漏极电流  7 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  32 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.2V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FDS8984_F085产品技术参数资料

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