FDPF5N50UT,864-8619,Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF5N50UT, 4 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装 ,Fairchild Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF5N50UT, 4 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装

制造商零件编号：
FDPF5N50UT
库存编号：
864-8619
Fairchild Semiconductor FDPF5N50UT
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FDPF5N50UT产品详细信息

UniFET? N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor

UniFET? MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II? MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。
UniFET? MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。

FDPF5N50UT产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.36mm  
  尺寸  10.36 x 4.9 x 16.07mm  
  典型关断延迟时间  27 ns  
  典型接通延迟时间  14 ns  
  典型输入电容值@Vds  485 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  11 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220F  
  高度  16.07mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.9mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  UniFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  28 W  
  最大连续漏极电流  4 A  
  最大漏源电压  500 V  
  最大漏源电阻值  2 Ω  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
关键词         

FDPF5N50UT相关搜索

安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.36mm  Fairchild Semiconductor 长度 10.36mm  MOSFET 晶体管 长度 10.36mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 10.36mm   尺寸 10.36 x 4.9 x 16.07mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 10.36 x 4.9 x 16.07mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.36 x 4.9 x 16.07mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 10.36 x 4.9 x 16.07mm   典型关断延迟时间 27 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 27 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 27 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 27 ns   典型接通延迟时间 14 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 14 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 14 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 14 ns   典型输入电容值@Vds 485 pF @ 25 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 485 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 485 pF @ 25 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 485 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V   封装类型 TO-220F  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-220F  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220F  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220F   高度 16.07mm  Fairchild Semiconductor 高度 16.07mm  MOSFET 晶体管 高度 16.07mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 16.07mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.9mm  Fairchild Semiconductor 宽度 4.9mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.9mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 4.9mm   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 UniFET  Fairchild Semiconductor 系列 UniFET  MOSFET 晶体管 系列 UniFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 UniFET   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 28 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 28 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 28 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 28 W   最大连续漏极电流 4 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 4 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4 A   最大漏源电压 500 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 500 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V   最大漏源电阻值 2 Ω  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 2 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2 Ω  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2 Ω   最大栅源电压 ±30 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 3V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号