FDMS86252L,864-8461,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86252L, 12 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装 ,Fairchild Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86252L, 12 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装

制造商零件编号：
FDMS86252L
库存编号：
864-8461
Fairchild Semiconductor FDMS86252L
声明：图片仅供参考，请以实物为准！


数据正在加载中...

FDMS86252L产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor

FDMS86252L产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 5.85 x 1.05mm  
  典型关断延迟时间  19 ns  
  典型接通延迟时间  6.8 ns  
  典型输入电容值@Vds  952 pF @ 75 V  
  典型栅极电荷@Vgs  15 nC @ 10 V  
  封装类型  Power 56  
  高度  1.05mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.85mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  50 W  
  最大连续漏极电流  12 A  
  最大漏源电压  150 V  
  最大漏源电阻值  110 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
关键词         

FDMS86252L相关搜索

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5mm  Fairchild Semiconductor 长度 5mm  MOSFET 晶体管 长度 5mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 5mm   尺寸 5 x 5.85 x 1.05mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 5 x 5.85 x 1.05mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 5.85 x 1.05mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 5.85 x 1.05mm   典型关断延迟时间 19 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 19 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 19 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 19 ns   典型接通延迟时间 6.8 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 6.8 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.8 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.8 ns   典型输入电容值@Vds 952 pF @ 75 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 952 pF @ 75 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 952 pF @ 75 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 952 pF @ 75 V   典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 10 V   封装类型 Power 56  Fairchild Semiconductor 封装类型 Power 56  MOSFET 晶体管 封装类型 Power 56  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 Power 56   高度 1.05mm  Fairchild Semiconductor 高度 1.05mm  MOSFET 晶体管 高度 1.05mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1.05mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.85mm  Fairchild Semiconductor 宽度 5.85mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.85mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 5.85mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor 系列 PowerTrench  MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench   引脚数目 8  Fairchild Semiconductor 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 50 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 50 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 50 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 50 W   最大连续漏极电流 12 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 12 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 12 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 12 A   最大漏源电压 150 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 150 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 150 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 150 V   最大漏源电阻值 110 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 110 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 110 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 110 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  
参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
FDMS86252L
[更多]		 ON Semiconductor

MOSFET N-CH 150V 8-MLP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
FDMS86252L
[更多]		 ON Semiconductor

MOSFET N-CH 150V 8-MLP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
FDMS86252L
[更多]		 ON Semiconductor

MOSFET N-CH 150V 8-MLP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
FDMS86252L
[更多]		 ON Semiconductor

MOSFET FET 150V 56.0 MOHM PQFN56

RoHS: Compliant

搜索
  日本1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
FDMS86252L
[更多]		 ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin Power 56 EP T/R

RoHS: Compliant

搜索
  美国3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
FDMS86252L
[更多]		 ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 150V 12A 8-Pin Power 56 T/R (Alt: FDMS86252L)

RoHS: Compliant

搜索
FDMS86252L
[更多]		 ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 150V 12A 8-Pin Power 56 T/R (Alt: FDMS86252L)

RoHS: Compliant

搜索
FDMS86252L
[更多]		 ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 150V 12A 8-Pin Power 56 T/R - Tape and Reel (Alt: FDMS86252L)

RoHS: Compliant

搜索
  新加坡2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
FDMS86252L
[更多]		 ON Semiconductor

MOSFET, N-CH, 150V, 12A, POWER 56-8

搜索
  新加坡1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
FDMS86252L
[更多]		 ON Semiconductor

FDMS86252L Series 150 V 12 A 56 mOhm N-Ch PowerTrench Mosfet - Power56

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
  美国1号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

Fairchild/ON Semiconductor - FDMS86252L - MOSFET N-CH 150V 8-MLP		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 8-MLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Ta） 2.5W（Ta），50W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56

型号：FDMS86252L
仓库库存编号：FDMS86252LCT-ND
别名：FDMS86252LCT <br>

无铅		搜索
  www.szcwdz.com    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图FDMS86252L
Fairchild Semiconductor		原厂原装货
暂无PDF 		查价格库存
查看详细
  英国10仓库    查看更多相关产品
产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Fairchild Semiconductor - FDMS86252L - Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86252L, 12 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装
制造商零件编号：
FDMS86252L
品牌：
Fairchild Semiconductor
库存编号：
864-8461
搜索
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
深圳市市场监督管理局企业主体身份公示