FDMS8350L,864-8417,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8350L, 200 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 56封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8350L, 200 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 56封装

制造商零件编号：
FDMS8350L
库存编号：
864-8417
Fairchild Semiconductor FDMS8350L
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FDMS8350L产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor

FDMS8350L产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5.1mm  
  尺寸  5.1 x 6.25 x 1.05mm  
  典型关断延迟时间  83 ns  
  典型接通延迟时间  29 ns  
  典型输入电容值@Vds  12500 pF @ 20 V  
  典型栅极电荷@Vgs  173 nC @ 10 V  
  封装类型  Power 56  
  高度  1.05mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.25mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  113 W  
  最大连续漏极电流  200 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  1.2 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5.1mm  Fairchild Semiconductor 长度 5.1mm  MOSFET 晶体管 长度 5.1mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 5.1mm   尺寸 5.1 x 6.25 x 1.05mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 5.1 x 6.25 x 1.05mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5.1 x 6.25 x 1.05mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 5.1 x 6.25 x 1.05mm   典型关断延迟时间 83 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 83 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 83 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 83 ns   典型接通延迟时间 29 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 29 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 29 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 29 ns   典型输入电容值@Vds 12500 pF @ 20 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 12500 pF @ 20 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 12500 pF @ 20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 12500 pF @ 20 V   典型栅极电荷@Vgs 173 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 173 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 173 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 173 nC @ 10 V   封装类型 Power 56  Fairchild Semiconductor 封装类型 Power 56  MOSFET 晶体管 封装类型 Power 56  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 Power 56   高度 1.05mm  Fairchild Semiconductor 高度 1.05mm  MOSFET 晶体管 高度 1.05mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1.05mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.25mm  Fairchild Semiconductor 宽度 6.25mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.25mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 6.25mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor 系列 PowerTrench  MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench   引脚数目 8  Fairchild Semiconductor 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 113 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 113 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 113 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 113 W   最大连续漏极电流 200 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 200 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 200 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 200 A   最大漏源电压 40 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 40 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V   最大漏源电阻值 1.2 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 1.2 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.2 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.2 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  
参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
FDMS8350L
[更多]		 ON Semiconductor

MOSFET N-CH 40V 47A 8PQFN

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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PT8 40V/20V NCH POWERTRENCH MOSF

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Trans MOSFET N-CH 40V 200A 8-Pin Power 56 T/R (Alt: FDMS8350L)

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Trans MOSFET N-CH 40V 200A 8-Pin Power 56 T/R - Tape and Reel (Alt: FDMS8350L)

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Trans MOSFET N-CH 40V 49A 8-Pin Power 56 T/R (Alt: FDMS8350LET40)

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Trans MOSFET N-CH 40V 49A 8-Pin Power 56 T/R - Tape and Reel (Alt: FDMS8350LET40)

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PT8 40V/20V NCH POWERTRENCH MO

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PT8 40V/20V NCH POWERTRENCH MO

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MOSFET, N-CH, 40V, 290A, POWER 56-8

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FDMS8350LET40
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MOSFET N-CH 40V 49A 8-Pin Power 56 0.00085 OHM

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MOSFET N-CH 40V 49A 8-Pin Power 56 0.00085 OHM

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无图FDMS8350L
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 40V 47A 8PQFN
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Fairchild Semiconductor - FDMS8350L - Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8350L, 200 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 56封装
制造商零件编号：
FDMS8350L
品牌：
Fairchild Semiconductor
库存编号：
864-8417
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Fairchild/ON Semiconductor - FDMS8350L - MOSFET N-CH 40V 47A 8PQFN		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 47A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），200A（Tc） 2.7W（Ta），113W（Tc） Power56

型号：FDMS8350L
仓库库存编号：FDMS8350LCT-ND
别名：FDMS8350LCT <br>

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Fairchild/ON Semiconductor - FDMS8350LET40 - PT8 40V/20V NCH POWERTRENCH MOSF		Fairchild/ON Semiconductor
PT8 40V/20V NCH POWERTRENCH MOSF
详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），300A（Tc） 3.33W（Ta）, 125W（Tc） Power56

型号：FDMS8350LET40
仓库库存编号：FDMS8350LET40-ND

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FDMS8350L产品技术参数资料

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