FDMS36101L_F085,864-8350,Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS36101L_F085, 38 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS36101L_F085, 38 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装

制造商零件编号:
FDMS36101L_F085
库存编号:
864-8350
Fairchild Semiconductor FDMS36101L_F085
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

FDMS36101L_F085产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor

FDMS36101L_F085产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 5.9 x 1.1mm  
  典型关断延迟时间  45 ns  
  典型接通延迟时间  15 ns  
  典型输入电容值@Vds  3945 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  70 nC @ 10 V  
  封装类型  Power 56  
  高度  1.1mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.9mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  94 W  
  最大连续漏极电流  38 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  66 mΩ  
  最大栅阈值电压  3V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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FDMS36101L_F085相关搜索

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FDMS36101L_F085产品技术参数资料

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